Inversion Layer Charge w PMOS Kalkulator

✖Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak szybkość i pobór mocy układów scalonych.ⓘ Pojemność tlenkowa [C_ox]			+10% -10%
✖Napięcie między bramką a źródłem tranzystora polowego (FET) jest znane jako napięcie bramka-źródło (VGS). Jest to ważny parametr wpływający na działanie tranzystora FET.ⓘ Napięcie między bramką a źródłem [V_GS]			+10% -10%
✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [V_T]			+10% -10%

✖Ładunek warstwy inwersyjnej odnosi się do gromadzenia się nośników ładunku na granicy między półprzewodnikiem a izolującą warstwą tlenku, gdy napięcie jest przykładane do elektrody bramki.ⓘ Inversion Layer Charge w PMOS [Q_p]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Inversion Layer Charge w PMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Opłata warstwy inwersyjnej = -Pojemność tlenkowa*(Napięcie między bramką a źródłem-Próg napięcia)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Opłata warstwy inwersyjnej - (Mierzone w Kulomb na metr kwadratowy) - Ładunek warstwy inwersyjnej odnosi się do gromadzenia się nośników ładunku na granicy między półprzewodnikiem a izolującą warstwą tlenku, gdy napięcie jest przykładane do elektrody bramki.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak szybkość i pobór mocy układów scalonych.
Napięcie między bramką a źródłem - (Mierzone w Wolt) - Napięcie między bramką a źródłem tranzystora polowego (FET) jest znane jako napięcie bramka-źródło (VGS). Jest to ważny parametr wpływający na działanie tranzystora FET.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pojemność tlenkowa: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Nie jest wymagana konwersja
Napięcie między bramką a źródłem: 2.86 Wolt --> 2.86 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 0.7 Wolt --> 0.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T) --> -0.0008*(2.86-0.7)

Ocenianie ... ...

Q_p = -0.001728

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

-0.001728 Kulomb na metr kwadratowy --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

-0.001728 Kulomb na metr kwadratowy <-- Opłata warstwy inwersyjnej

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Wzmocnienie kanału P » Inversion Layer Charge w PMOS

Kredyty

Stworzone przez Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR INSTYTUT TECHNOLOGII (GTBIT), NOWE DELHI

Aman Dhussawat utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< Wzmocnienie kanału P Kalkulatory

Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS

LaTeX Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*((Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))*Napięcie między drenem a źródłem-1/2*(Napięcie między drenem a źródłem)^2)

Prąd drenażowy w regionie triody tranzystora PMOS, biorąc pod uwagę Vsd

LaTeX Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(modulus(Efektywne napięcie)-1/2*Napięcie między drenem a źródłem)*Napięcie między drenem a źródłem

Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS

LaTeX Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2

Prąd odpływowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS podanego Vov

LaTeX Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Efektywne napięcie)^2

Zobacz więcej >>