Napięcie wejściowe w tranzystorze Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu
Vfc = Rd*id-Vd
Ta formuła używa 4 Zmienne
Używane zmienne
Podstawowe napięcie składowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie składowej podstawowej jest pierwszą harmoniczną napięcia w analizie harmonicznej fali prostokątnej napięcia w obwodzie opartym na falowniku.
Odporność na drenaż - (Mierzone w Om) - Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu poniżej napięcia progowego definiuje się jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo w zależności od napięcia bramki-źródła.
Całkowite chwilowe napięcie drenu - (Mierzone w Wolt) - Całkowite chwilowe napięcie drenu to napięcie, które spada na zacisk źródłowo-bramkowy tranzystora.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Odporność na drenaż: 0.36 Kilohm --> 360 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Prąd spustowy: 17.5 Miliamper --> 0.0175 Amper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Całkowite chwilowe napięcie drenu: 1.284 Wolt --> 1.284 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Vfc = Rd*id-Vd --> 360*0.0175-1.284
Ocenianie ... ...
Vfc = 5.016
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
5.016 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
5.016 Wolt <-- Podstawowe napięcie składowe
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Prahalad Singh
Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh zweryfikował ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Kalkulatory

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym
​ LaTeX ​ Iść Prąd wyjściowy = (Mobilność elektronu*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia))*Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem
Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu
​ LaTeX ​ Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2
Całkowite chwilowe napięcie drenu
​ LaTeX ​ Iść Całkowite chwilowe napięcie drenu = Podstawowe napięcie składowe-Odporność na drenaż*Prąd spustowy
Napięcie wejściowe w tranzystorze
​ LaTeX ​ Iść Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu

Napięcie wejściowe w tranzystorze Formułę

​LaTeX ​Iść
Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu
Vfc = Rd*id-Vd

Co to jest MOSFET i jego zastosowanie?

MOSFET służy do przełączania lub wzmacniania sygnałów. Zdolność do zmiany przewodnictwa wraz z ilością przyłożonego napięcia może służyć do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych. Tranzystory MOSFET są teraz jeszcze bardziej powszechne niż BJT (bipolarne tranzystory złączowe) w obwodach cyfrowych i analogowych.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!