Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Procentowej zmiany
Ułamek właściwy
NWW dwóch liczby
Napięcie wejściowe bramka-źródło Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Inżynieria chemiczna
Inżynieria materiałowa
Inżynieria produkcji
Mechaniczny
⤿
Elektronika analogowa
Antena
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Elektronika mocy
Inżynieria telewizyjna
Komunikacja analogowa
Komunikacja bezprzewodowa
Komunikacja cyfrowa
Komunikacja satelitarna
Linia transmisyjna i antena
Mikroelektronika RF
Produkcja VLSI
Projekt światłowodu
Projektowanie i zastosowania CMOS
Sygnał i systemy
System radarowy
System sterowania
Telekomunikacyjne systemy przełączające
Teoria informacji i kodowanie
Teoria mikrofalowa
Teoria pola elektromagnetycznego
Transmisja światłowodowa
Układy scalone (IC)
Urządzenia optoelektroniczne
Urządzenia półprzewodnikowe
Wbudowany system
Wzmacniacze
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Napięcie
Aktualny
Analiza małych sygnałów
Charakterystyka MOSFET-u
Opór
Stronniczy
Transkonduktancja
Tranzystor MOS
Ulepszenie kanału N
Ulepszenie kanału P
Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości
Współczynnik odrzucenia sygnału wspólnego (CMRR)
Współczynnik wzmocnienia lub wzmocnienie
✖
Rezystancja wzmacniacza wejściowego to rezystancja, która przeciwstawia się przepływowi prądu wpływającego do tranzystora.
ⓘ
Rezystancja wzmacniacza wejściowego [R
in
]
Abohm
EMU of Resistance
ESU of Resistance
Exaohm
Gigaom
Kilohm
Megaom
Mikroom
Miliohm
Nanohm
Om
Petaohm
Planck Impedancja
Skwantowane Hall Resistance
Wzajemne Siemens
Statohm
Wolt na Amper
Yottaohm
Zettaohm
+10%
-10%
✖
Równoważna rezystancja źródła jest miarą całkowitego sprzeciwu wobec przepływu prądu w obwodzie elektrycznym, biorąc pod uwagę rezystancję źródła i wszelkich elementów obwodu równoległego.
ⓘ
Równoważna rezystancja źródła [R
se
]
Abohm
EMU of Resistance
ESU of Resistance
Exaohm
Gigaom
Kilohm
Megaom
Mikroom
Miliohm
Nanohm
Om
Petaohm
Planck Impedancja
Skwantowane Hall Resistance
Wzajemne Siemens
Statohm
Wolt na Amper
Yottaohm
Zettaohm
+10%
-10%
✖
Napięcie wejściowe to napięcie wykryte na wejściu tranzystora.
ⓘ
Napięcie wejściowe [V
in
]
Abwolt
Attowolta
Centywolt
decywolt
Dekawolta
EMU potencjału elektrycznego
ESU potencjału elektrycznego
Femtovolt
Gigawolt
hektowolt
Kilowolt
Megawolt
Mikrowolt
Miliwolt
Nanowolt
Petawolt
Picowolt
Planck napięcia
Statwolt
Terawolt
Wolt
Wat/Amper
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Napięcie krytyczne to minimalna faza napięcia neutralnego, która świeci i pojawia się wzdłuż przewodu liniowego.
ⓘ
Napięcie wejściowe bramka-źródło [V
c
]
Abwolt
Attowolta
Centywolt
decywolt
Dekawolta
EMU potencjału elektrycznego
ESU potencjału elektrycznego
Femtovolt
Gigawolt
hektowolt
Kilowolt
Megawolt
Mikrowolt
Miliwolt
Nanowolt
Petawolt
Picowolt
Planck napięcia
Statwolt
Terawolt
Wolt
Wat/Amper
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Napięcie wejściowe bramka-źródło
Formuła
`"V"_{"c"} = ("R"_{"in"}/("R"_{"in"}+"R"_{"se"}))*"V"_{"in"}`
Przykład
`"9.33201V"=("1.4kΩ"/("1.4kΩ"+"10.2Ω"))*"9.4V"`
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać MOSFET Formułę PDF
Napięcie wejściowe bramka-źródło Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Napięcie krytyczne
= (
Rezystancja wzmacniacza wejściowego
/(
Rezystancja wzmacniacza wejściowego
+
Równoważna rezystancja źródła
))*
Napięcie wejściowe
V
c
= (
R
in
/(
R
in
+
R
se
))*
V
in
Ta formuła używa
4
Zmienne
Używane zmienne
Napięcie krytyczne
-
(Mierzone w Wolt)
- Napięcie krytyczne to minimalna faza napięcia neutralnego, która świeci i pojawia się wzdłuż przewodu liniowego.
Rezystancja wzmacniacza wejściowego
-
(Mierzone w Om)
- Rezystancja wzmacniacza wejściowego to rezystancja, która przeciwstawia się przepływowi prądu wpływającego do tranzystora.
Równoważna rezystancja źródła
-
(Mierzone w Om)
- Równoważna rezystancja źródła jest miarą całkowitego sprzeciwu wobec przepływu prądu w obwodzie elektrycznym, biorąc pod uwagę rezystancję źródła i wszelkich elementów obwodu równoległego.
Napięcie wejściowe
-
(Mierzone w Wolt)
- Napięcie wejściowe to napięcie wykryte na wejściu tranzystora.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Rezystancja wzmacniacza wejściowego:
1.4 Kilohm --> 1400 Om
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
Równoważna rezystancja źródła:
10.2 Om --> 10.2 Om Nie jest wymagana konwersja
Napięcie wejściowe:
9.4 Wolt --> 9.4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
V
c
= (R
in
/(R
in
+R
se
))*V
in
-->
(1400/(1400+10.2))*9.4
Ocenianie ... ...
V
c
= 9.33200964402212
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
9.33200964402212 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
9.33200964402212
≈
9.33201 Wolt
<--
Napięcie krytyczne
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
MOSFET
»
Elektronika analogowa
»
Napięcie
»
Napięcie wejściowe bramka-źródło
Kredyty
Stworzone przez
Ritwik Tripathi
Vellore Instytut Technologiczny
(VIT Vellore)
,
Vellore
Ritwik Tripathi utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Parminder Singh
Uniwersytet Chandigarh
(CU)
,
Pendżab
Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!
<
20 Napięcie Kalkulatory
Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła
Iść
Przewodnictwo kanału
=
Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału
*
Pojemność tlenkowa
*
Szerokość kanału
/
Długość kanału
*(
Napięcie bramka-źródło
-
Próg napięcia
)
Napięcie wyjściowe wspólnej bramki
Iść
Napięcie wyjściowe
= -(
Transkonduktancja
*
Napięcie krytyczne
)*((
Odporność na obciążenie
*
Opór bramy
)/(
Opór bramy
+
Odporność na obciążenie
))
Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym
Iść
Napięcie drenu Q1
= -
Rezystancja wyjściowa
*(
Transkonduktancja
*
Sygnał wejściowy trybu wspólnego
)/(1+(2*
Transkonduktancja
*
Rezystancja wyjściowa
))
Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET podczas pracy z różnicowym napięciem wejściowym
Iść
Napięcie bramka-źródło
=
Próg napięcia
+
sqrt
((2*
Prąd polaryzacji DC
)/(
Parametr transkonduktancji procesu
*
Współczynnik proporcji
))
Źródło napięcia wejściowego
Iść
Źródło napięcia wejściowego
=
Napięcie wejściowe
*(
Rezystancja wzmacniacza wejściowego
/(
Rezystancja wzmacniacza wejściowego
+
Równoważna rezystancja źródła
))
Napięcie wejściowe bramka-źródło
Iść
Napięcie krytyczne
= (
Rezystancja wzmacniacza wejściowego
/(
Rezystancja wzmacniacza wejściowego
+
Równoważna rezystancja źródła
))*
Napięcie wejściowe
Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym
Iść
Napięcie drenu Q2
= -(
Rezystancja wyjściowa
/((1/
Transkonduktancja
)+2*
Rezystancja wyjściowa
))*
Sygnał wejściowy trybu wspólnego
Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym
Iść
Napięcie bramka-źródło
=
Prąd wejściowy
/(
Częstotliwość kątowa
*(
Pojemność bramki źródłowej
+
Pojemność bramowo-drenowa
))
Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET
Iść
Prąd wejściowy
=
Napięcie bramka-źródło
*(
Częstotliwość kątowa
*(
Pojemność bramki źródłowej
+
Pojemność bramowo-drenowa
))
Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia
Iść
Transkonduktancja
=
Całkowity prąd
/(
Sygnał wejściowy trybu wspólnego
-(2*
Całkowity prąd
*
Rezystancja wyjściowa
))
Przyrostowy sygnał napięciowy wzmacniacza różnicowego
Iść
Sygnał wejściowy trybu wspólnego
= (
Całkowity prąd
/
Transkonduktancja
)+(2*
Całkowity prąd
*
Rezystancja wyjściowa
)
Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET
Iść
Napięcie wyjściowe
= -(
Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET
/(2*
Rezystancja wyjściowa
))*
Sygnał wejściowy trybu wspólnego
Napięcie na drenie Q2 w MOSFET
Iść
Napięcie wyjściowe
= -(
Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET
/(2*
Rezystancja wyjściowa
))*
Sygnał wejściowy trybu wspólnego
Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET
Iść
Napięcie nasycenia drenu i źródła
=
Napięcie bramka-źródło
-
Próg napięcia
Napięcie między bramką a źródłem tranzystora MOSFET na różnicowym napięciu wejściowym przy napięciu przesterowania
Iść
Napięcie bramka-źródło
=
Próg napięcia
+1.4*
Efektywne napięcie
Napięcie przesterowania
Iść
Napięcie przesterowania
= (2*
Prąd spustowy
)/
Transkonduktancja
Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET
Iść
Napięcie drenu Q1
= -(
Rezystancja wyjściowa
*
Całkowity prąd
)
Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET
Iść
Napięcie drenu Q2
= -(
Rezystancja wyjściowa
*
Całkowity prąd
)
Napięcie progowe, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz
Iść
Próg napięcia
=
Napięcie bramka-źródło
-
Efektywne napięcie
Napięcie progowe MOSFET-u
Iść
Próg napięcia
=
Napięcie bramka-źródło
-
Efektywne napięcie
Napięcie wejściowe bramka-źródło Formułę
Napięcie krytyczne
= (
Rezystancja wzmacniacza wejściowego
/(
Rezystancja wzmacniacza wejściowego
+
Równoważna rezystancja źródła
))*
Napięcie wejściowe
V
c
= (
R
in
/(
R
in
+
R
se
))*
V
in
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!