NWD trzy liczby

Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Układy scalone (IC)Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Produkcja bipolarnych układów scalonych Produkcja układów scalonych MOS Wyzwalacz Schmitta

✖Na stężenie elektronów wpływają różne czynniki, takie jak temperatura, zanieczyszczenia lub domieszki dodane do materiału półprzewodnikowego oraz zewnętrzne pola elektryczne lub magnetyczne.ⓘ Stężenie elektronów [n_e]			+10% -10%
✖Koncentracja dziur oznacza większą liczbę dostępnych nośników ładunku w materiale, wpływając na jego przewodność i różne urządzenia półprzewodnikowe.ⓘ Zagęszczenie dziur [p]			+10% -10%
✖Zanieczyszczenie temperaturowe Wskaźnik bazowy reprezentujący średnią temperaturę powietrza w różnych skalach czasowych.ⓘ Zanieczyszczenie temperaturowe [t_o]			+10% -10%

✖Stężenie wewnętrzne to liczba elektronów w paśmie przewodnictwa lub liczba dziur w paśmie walencyjnym w materiale wewnętrznym.ⓘ Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu [n_i]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Układy scalone (IC) Formułę PDF PDF Image

Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Wewnętrzna koncentracja = sqrt((Stężenie elektronów*Zagęszczenie dziur)/Zanieczyszczenie temperaturowe)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 4 Zmienne

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Wewnętrzna koncentracja - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie wewnętrzne to liczba elektronów w paśmie przewodnictwa lub liczba dziur w paśmie walencyjnym w materiale wewnętrznym.
Stężenie elektronów - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Na stężenie elektronów wpływają różne czynniki, takie jak temperatura, zanieczyszczenia lub domieszki dodane do materiału półprzewodnikowego oraz zewnętrzne pola elektryczne lub magnetyczne.
Zagęszczenie dziur - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja dziur oznacza większą liczbę dostępnych nośników ładunku w materiale, wpływając na jego przewodność i różne urządzenia półprzewodnikowe.
Zanieczyszczenie temperaturowe - (Mierzone w kelwin) - Zanieczyszczenie temperaturowe Wskaźnik bazowy reprezentujący średnią temperaturę powietrza w różnych skalach czasowych.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Stężenie elektronów: 50.6 1 na centymetr sześcienny --> 50600000 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Zagęszczenie dziur: 0.69 1 na centymetr sześcienny --> 690000 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Zanieczyszczenie temperaturowe: 20 kelwin --> 20 kelwin Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

n_i = sqrt((n_e*p)/t_o) --> sqrt((50600000*690000)/20)

Ocenianie ... ...

n_i = 1321249.40870375

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1321249.40870375 1 na metr sześcienny -->1.32124940870375 1 na centymetr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.32124940870375 ≈ 1.321249 1 na centymetr sześcienny <-- Wewnętrzna koncentracja

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja bipolarnych układów scalonych » Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu

Kredyty

Stworzone przez Rahula Guptę

Uniwersytet Chandigarh (CU), Mohali, Pendżab

Rahula Guptę utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory

Przewodność typu N

LaTeX Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N+Hole Doping Mobilność krzemu*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu N))

Przewodność omowa zanieczyszczeń

LaTeX Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie elektronów+Hole Doping Mobilność krzemu*Zagęszczenie dziur)

Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu

LaTeX Iść Wewnętrzna koncentracja = sqrt((Stężenie elektronów*Zagęszczenie dziur)/Zanieczyszczenie temperaturowe)

Napięcie przebicia emitera kolektora

LaTeX Iść Napięcie przebicia emitera kolektora = Napięcie przebicia podstawy kolektora/(Obecny zysk BJT)^(1/Numer główny)

Zobacz więcej >>

Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu Formułę

LaTeX Iść

Wewnętrzna koncentracja = sqrt((Stężenie elektronów*Zagęszczenie dziur)/Zanieczyszczenie temperaturowe)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!