Bramy na ścieżce krytycznej Kalkulator

✖Cykl pracy lub cykl zasilania to ułamek jednego okresu, w którym sygnał lub system jest aktywny.ⓘ Cykl pracy [D]			+10% -10%
✖Wył. Prąd wyłącznika jest wartością nieistniejącą w rzeczywistości. Prawdziwe przełączniki mają zwykle bardzo mały prąd wyłączenia, który czasami nazywany jest prądem upływowym.ⓘ Wyłączony prąd [i_off]			+10% -10%
✖Napięcie kolektora podstawowego jest kluczowym parametrem polaryzacji tranzystora. Odnosi się do różnicy napięcia pomiędzy zaciskami bazy i kolektora tranzystora, gdy jest on w stanie aktywnym.ⓘ Podstawowe napięcie kolektora [V_bc]			+10% -10%
✖Pojemność bramki do kanału to pojemność wynikająca z nakładania się obszarów źródła i kanału przez bramkę polikrzemową i jest niezależna od przyłożonego napięcia.ⓘ Pojemność bramki do kanału [C_g]			+10% -10%

✖Bramki na ścieżce krytycznej definiuje się jako całkowitą liczbę bramek logicznych wymaganych podczas jednego cyklu w pamięci CMOS.ⓘ Bramy na ścieżce krytycznej [N_g]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wskaźniki mocy CMOS Formuły PDF PDF Image

Bramy na ścieżce krytycznej Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Bramy na ścieżce krytycznej = Cykl pracy*(Wyłączony prąd*(10^Podstawowe napięcie kolektora))/(Pojemność bramki do kanału*[BoltZ]*Podstawowe napięcie kolektora)
N_g = D*(i_off*(10^V_bc))/(C_g*[BoltZ]*V_bc)
Ta formuła używa 1 Stałe, 5 Zmienne

Używane stałe

[BoltZ] - Stała Boltzmanna Wartość przyjęta jako 1.38064852E-23

Używane zmienne

Bramy na ścieżce krytycznej - Bramki na ścieżce krytycznej definiuje się jako całkowitą liczbę bramek logicznych wymaganych podczas jednego cyklu w pamięci CMOS.
Cykl pracy - Cykl pracy lub cykl zasilania to ułamek jednego okresu, w którym sygnał lub system jest aktywny.
Wyłączony prąd - (Mierzone w Amper) - Wył. Prąd wyłącznika jest wartością nieistniejącą w rzeczywistości. Prawdziwe przełączniki mają zwykle bardzo mały prąd wyłączenia, który czasami nazywany jest prądem upływowym.
Podstawowe napięcie kolektora - (Mierzone w Wolt) - Napięcie kolektora podstawowego jest kluczowym parametrem polaryzacji tranzystora. Odnosi się do różnicy napięcia pomiędzy zaciskami bazy i kolektora tranzystora, gdy jest on w stanie aktywnym.
Pojemność bramki do kanału - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki do kanału to pojemność wynikająca z nakładania się obszarów źródła i kanału przez bramkę polikrzemową i jest niezależna od przyłożonego napięcia.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Cykl pracy: 1.3E-25 --> Nie jest wymagana konwersja
Wyłączony prąd: 0.01 Miliamper --> 1E-05 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Podstawowe napięcie kolektora: 2.02 Wolt --> 2.02 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Pojemność bramki do kanału: 5.1 Milifarad --> 0.0051 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

N_g = D*(i_off*(10^V_bc))/(C_g*[BoltZ]*V_bc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^2.02))/(0.0051*[BoltZ]*2.02)

Ocenianie ... ...

N_g = 0.000957058919420363

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.000957058919420363 --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.000957058919420363 ≈ 0.000957 <-- Bramy na ścieżce krytycznej

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Wskaźniki mocy CMOS » Bramy na ścieżce krytycznej

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Wskaźniki mocy CMOS Kalkulatory

Przełączanie zasilania

LaTeX Iść Moc przełączania = Czynnik aktywności*(Pojemność*Podstawowe napięcie kolektora^2*Częstotliwość)

Czynnik aktywności

LaTeX Iść Czynnik aktywności = Moc przełączania/(Pojemność*Podstawowe napięcie kolektora^2*Częstotliwość)

Zasilanie zwarciowe w CMOS

LaTeX Iść Moc zwarciowa = Moc dynamiczna-Moc przełączania

Moc dynamiczna w CMOS

LaTeX Iść Moc dynamiczna = Moc zwarciowa+Moc przełączania

Zobacz więcej >>

Bramy na ścieżce krytycznej Formułę

LaTeX Iść

Co to jest przewodzenie podprogowe?

Podprogowe przewodzenie lub podprogowy upływ prądu lub podprogowy prąd drenu to prąd między źródłem a drenem tranzystora MOSFET, gdy tranzystor znajduje się w obszarze podprogowym lub w obszarze słabej inwersji, to znaczy dla napięć między bramką a źródłem poniżej napięcia progowego.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!