NWW dwóch liczby

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Układy scalone (IC)Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Produkcja bipolarnych układów scalonych Produkcja układów scalonych MOS Wyzwalacz Schmitta

✖Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.ⓘ Szerokość tranzystora [W_t]			+10% -10%
✖Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.ⓘ Długość tranzystora [L_t]			+10% -10%
✖Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.ⓘ Pojemność tlenkowa [C_ox]			+10% -10%
✖Pojemność nakładania to pojemność pasożytnicza, która powstaje w wyniku fizycznego nakładania się pomiędzy bramką a obszarami źródła/drenu.ⓘ Pojemność nakładania [C_ov]			+10% -10%

✖Pojemność źródła bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET).ⓘ Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się [C_gs]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Formuła

C gs = (\frac{2}{3} \cdot W t \cdot L t \cdot C ox) + (W t \cdot C ov)

Przykład

13.75005 μF = (\frac{2}{3} \cdot 5.5 μm \cdot 3.2 μm \cdot 3.9 F) + (5.5 μm \cdot 2.5 F)

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Układy scalone (IC) Formułę PDF PDF Image

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Pojemność źródła bramki = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania)
C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov)
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Pojemność źródła bramki - (Mierzone w Farad) - Pojemność źródła bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET).
Szerokość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Długość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.
Pojemność nakładania - (Mierzone w Farad) - Pojemność nakładania to pojemność pasożytnicza, która powstaje w wyniku fizycznego nakładania się pomiędzy bramką a obszarami źródła/drenu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Szerokość tranzystora: 5.5 Mikrometr --> 5.5E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość tranzystora: 3.2 Mikrometr --> 3.2E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność tlenkowa: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nie jest wymagana konwersja
Pojemność nakładania: 2.5 Farad --> 2.5 Farad Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov) --> (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5)

Ocenianie ... ...

C_gs = 1.375004576E-05

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.375004576E-05 Farad -->13.75004576 Mikrofarad (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

13.75004576 ≈ 13.75005 Mikrofarad <-- Pojemność źródła bramki

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja bipolarnych układów scalonych » Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory

Przewodność typu N

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N+Hole Doping Mobilność krzemu*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu N))

Przewodność omowa zanieczyszczeń

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie elektronów+Hole Doping Mobilność krzemu*Zagęszczenie dziur)

Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu

Iść Wewnętrzna koncentracja = sqrt((Stężenie elektronów*Zagęszczenie dziur)/Zanieczyszczenie temperaturowe)

Napięcie przebicia emitera kolektora

Iść Napięcie przebicia emitera kolektora = Napięcie przebicia podstawy kolektora/(Obecny zysk BJT)^(1/Numer główny)

Zobacz więcej >>

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się Formułę

Pojemność źródła bramki = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania)
C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!