Pojemność źródła bramki FET Kalkulator

✖Czas wyłączenia pojemności bramki źródła FET odnosi się do czasu wymaganego do rozładowania pojemności między bramką a źródłem, co jest parametrem krytycznym dla kontrolowania szybkości przełączania i wydajności energetycznej.ⓘ Czas wyłączenia pojemności źródła bramki FET [T_gs-off(fet)]			+10% -10%
✖Napięcie źródła drenu FET to napięcie pomiędzy drenem a zaciskiem źródła FET.ⓘ Napięcie źródła drenu FET [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖Potencjał powierzchniowy FET działa w oparciu o potencjał powierzchniowy kanału półprzewodnikowego, kontrolując przepływ prądu przez napięcie bramki bez generowania warstw inwersyjnych.ⓘ Potencjał powierzchniowy FET [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖Pojemność źródła bramki FET to pojemność pomiędzy bramką a zaciskami źródła FET.ⓘ Pojemność źródła bramki FET [C_gs(fet)]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Zaawansowane urządzenia tranzystorowe Formuły PDF PDF Image

Pojemność źródła bramki FET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Pojemność źródła bramki FET = Czas wyłączenia pojemności źródła bramki FET/(1-(Napięcie źródła drenu FET/Potencjał powierzchniowy FET))^(1/3)
C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Pojemność źródła bramki FET - (Mierzone w Farad) - Pojemność źródła bramki FET to pojemność pomiędzy bramką a zaciskami źródła FET.
Czas wyłączenia pojemności źródła bramki FET - (Mierzone w Drugi) - Czas wyłączenia pojemności bramki źródła FET odnosi się do czasu wymaganego do rozładowania pojemności między bramką a źródłem, co jest parametrem krytycznym dla kontrolowania szybkości przełączania i wydajności energetycznej.
Napięcie źródła drenu FET - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła drenu FET to napięcie pomiędzy drenem a zaciskiem źródła FET.
Potencjał powierzchniowy FET - (Mierzone w Wolt) - Potencjał powierzchniowy FET działa w oparciu o potencjał powierzchniowy kanału półprzewodnikowego, kontrolując przepływ prądu przez napięcie bramki bez generowania warstw inwersyjnych.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Czas wyłączenia pojemności źródła bramki FET: 2.234 Drugi --> 2.234 Drugi Nie jest wymagana konwersja
Napięcie źródła drenu FET: 4.8 Wolt --> 4.8 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Potencjał powierzchniowy FET: 4.976 Wolt --> 4.976 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3) --> 2.234/(1-(4.8/4.976))^(1/3)

Ocenianie ... ...

C_gs(fet) = 6.80569376657684

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

6.80569376657684 Farad --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

6.80569376657684 ≈ 6.805694 Farad <-- Pojemność źródła bramki FET

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -