Kalkulator NWW

Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Produkcja VLSI Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Optymalizacja materiałów VLSI Konstrukcja analogowa VLSI

✖Pojemność bramki to pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.ⓘ Pojemność bramki [C_g]			+10% -10%
✖Pojemność warstwy tlenku bramki definiuje się jako pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.ⓘ Pojemność warstwy tlenku bramki [C_ox]			+10% -10%
✖Szerokość bramki odnosi się do odległości pomiędzy krawędzią metalowej elektrody bramki a sąsiadującym materiałem półprzewodnikowym w CMOS.ⓘ Szerokość bramy [W_g]			+10% -10%

✖Długość bramy to pomiar lub zasięg czegoś od końca do końca.ⓘ Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki [L_g]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki

Formuła

L g = \frac{C g}{C ox \cdot W g}

Przykład

7.011663 mm = \frac{59.61 μF}{29.83 μF/mm² \cdot 0.285 mm}

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Długość bramy = Pojemność bramki/(Pojemność warstwy tlenku bramki*Szerokość bramy)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Długość bramy - (Mierzone w Metr) - Długość bramy to pomiar lub zasięg czegoś od końca do końca.
Pojemność bramki - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki to pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.
Pojemność warstwy tlenku bramki - (Mierzone w Farad na metr kwadratowy) - Pojemność warstwy tlenku bramki definiuje się jako pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.
Szerokość bramy - (Mierzone w Metr) - Szerokość bramki odnosi się do odległości pomiędzy krawędzią metalowej elektrody bramki a sąsiadującym materiałem półprzewodnikowym w CMOS.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pojemność bramki: 59.61 Mikrofarad --> 5.961E-05 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność warstwy tlenku bramki: 29.83 Mikrofarad na milimetr kwadratowy --> 29.83 Farad na metr kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)
Szerokość bramy: 0.285 Milimetr --> 0.000285 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

L_g = C_g/(C_ox*W_g) --> 5.961E-05/(29.83*0.000285)

Ocenianie ... ...

L_g = 0.00701166257917674

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.00701166257917674 Metr -->7.01166257917674 Milimetr (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

7.01166257917674 ≈ 7.011663 Milimetr <-- Długość bramy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Optymalizacja materiałów VLSI » Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory

Współczynnik efektu ciała

Iść Współczynnik efektu ciała = modulus((Próg napięcia-Napięcie progowe DIBL)/(sqrt(Potencjał powierzchni+(Różnica potencjałów ciała źródłowego))-sqrt(Potencjał powierzchni)))

Współczynnik DIBL

Iść Współczynnik DIBL = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Drenaż do potencjału źródłowego

Opłata za kanał

Iść Opłata za kanał = Pojemność bramki*(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Krytyczne napięcie

Iść Napięcie krytyczne = Krytyczne pole elektryczne*Pole elektryczne na długości kanału

Zobacz więcej >>

Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki Formułę

Długość bramy = Pojemność bramki/(Pojemność warstwy tlenku bramki*Szerokość bramy)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)

Jakie są zastosowania warstwy tlenkowej w VLSI?

Warstwa tlenku ma kluczowe zastosowania w urządzeniach półprzewodnikowych. Służy jako izolator bramki w tranzystorach MOS, umożliwiając kontrolę przepływu elektronów. Dodatkowo pełni funkcję warstwy izolacji elektrycznej pomiędzy różnymi komponentami i połączeniami, zapewniając niezawodne i wydajne działanie układów scalonych w zastosowaniach takich jak mikroprocesory, urządzenia pamięci i czujniki.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!