Kalkulator NWW

Pojemność bramki Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Produkcja VLSI Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Optymalizacja materiałów VLSI Konstrukcja analogowa VLSI

✖Ładunek kanałowy definiuje się jako siłę wywieraną przez materię umieszczoną w polu elektromagnetycznym.ⓘ Opłata za kanał [Q_ch]			+10% -10%
✖Napięcie bramki do kanału definiuje się jako rezystancję w stanie dren-źródło jest większa niż wartość znamionowa, gdy napięcie bramki jest w pobliżu napięcia progowego.ⓘ Napięcie bramki do kanału [V_gc]			+10% -10%
✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła wymagane do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [V_t]			+10% -10%

✖Pojemność bramki to pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.ⓘ Pojemność bramki [C_g]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Pojemność bramki Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Pojemność bramki = Opłata za kanał/(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)
C_g = Q_ch/(V_gc-V_t)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Pojemność bramki - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki to pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.
Opłata za kanał - (Mierzone w Kulomb) - Ładunek kanałowy definiuje się jako siłę wywieraną przez materię umieszczoną w polu elektromagnetycznym.
Napięcie bramki do kanału - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramki do kanału definiuje się jako rezystancję w stanie dren-źródło jest większa niż wartość znamionowa, gdy napięcie bramki jest w pobliżu napięcia progowego.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła wymagane do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Opłata za kanał: 0.4 Millicoulomb --> 0.0004 Kulomb (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie bramki do kanału: 7.011 Wolt --> 7.011 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 0.3 Wolt --> 0.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

C_g = Q_ch/(V_gc-V_t) --> 0.0004/(7.011-0.3)

Ocenianie ... ...

C_g = 5.96036358217851E-05

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

5.96036358217851E-05 Farad -->59.6036358217851 Mikrofarad (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

59.6036358217851 ≈ 59.60364 Mikrofarad <-- Pojemność bramki

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Optymalizacja materiałów VLSI » Pojemność bramki

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory

Współczynnik efektu ciała

LaTeX Iść Współczynnik efektu ciała = modulus((Próg napięcia-Napięcie progowe DIBL)/(sqrt(Potencjał powierzchni+(Różnica potencjałów ciała źródłowego))-sqrt(Potencjał powierzchni)))

Współczynnik DIBL

LaTeX Iść Współczynnik DIBL = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Drenaż do potencjału źródłowego

Opłata za kanał

LaTeX Iść Opłata za kanał = Pojemność bramki*(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Krytyczne napięcie

LaTeX Iść Napięcie krytyczne = Krytyczne pole elektryczne*Pole elektryczne na długości kanału

Zobacz więcej >>

Pojemność bramki Formułę

LaTeX Iść

Pojemność bramki = Opłata za kanał/(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)
C_g = Q_ch/(V_gc-V_t)

Jakie są zastosowania obliczania pojemności bramki w VLSI?

Obliczanie pojemności bramki w (VLSI) ma kluczowe znaczenie dla optymalizacji zużycia energii i integralności sygnału. Pomaga w projektowaniu wydajnych obwodów CMOS, określaniu opóźnień i minimalizowaniu mocy przełączania. Wiedza ta jest niezbędna do uzyskania wysokowydajnych układów scalonych o niskim poborze mocy w zastosowaniach takich jak smartfony, urządzenia IoT i mikroprocesory.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!