Parametr procesu produkcyjnego NMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Parametr procesu produkcyjnego = sqrt(2*[Charge-e]*Stężenie domieszkowania substratu P*[Permitivity-vacuum])/Pojemność tlenkowa
γ = sqrt(2*[Charge-e]*NP*[Permitivity-vacuum])/Cox
Ta formuła używa 2 Stałe, 1 Funkcje, 3 Zmienne
Używane stałe
[Permitivity-vacuum] - Przenikalność próżni Wartość przyjęta jako 8.85E-12
[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
Używane funkcje
sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)
Używane zmienne
Parametr procesu produkcyjnego - Parametrem procesu produkcyjnego jest proces rozpoczynający się od utlenienia podłoża krzemowego, w którym na jego powierzchni osadza się stosunkowo gruba warstwa tlenku.
Stężenie domieszkowania substratu P - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie domieszkowania substratu P to liczba zanieczyszczeń dodanych do substratu. Jest to całkowite stężenie jonów akceptorowych.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak szybkość i pobór mocy układów scalonych.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Stężenie domieszkowania substratu P: 6E+16 1 na centymetr sześcienny --> 6E+22 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Pojemność tlenkowa: 2.02 Mikrofarad --> 2.02E-06 Farad (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
γ = sqrt(2*[Charge-e]*NP*[Permitivity-vacuum])/Cox --> sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06
Ocenianie ... ...
γ = 204.204864690003
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
204.204864690003 --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
204.204864690003 204.2049 <-- Parametr procesu produkcyjnego
(Obliczenie zakończone za 00.023 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

Ulepszenie kanału N Kalkulatory

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)
Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*Napięcie źródła drenażu^2)
NMOS jako rezystancja liniowa
​ LaTeX ​ Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia))
Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału

Parametr procesu produkcyjnego NMOS Formułę

​LaTeX ​Iść
Parametr procesu produkcyjnego = sqrt(2*[Charge-e]*Stężenie domieszkowania substratu P*[Permitivity-vacuum])/Pojemność tlenkowa
γ = sqrt(2*[Charge-e]*NP*[Permitivity-vacuum])/Cox

Jaka jest inna nazwa parametru procesu produkcyjnego?

Parametr procesu produkcyjnego jest również znany jako parametr efektu ciała. Jest oznaczony przez γ. Jest pozytywny w NMOS.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!