NWW trzy liczby

Równoważna grubość tlenku Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Układy scalone (IC)Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Produkcja układów scalonych MOS Produkcja bipolarnych układów scalonych Wyzwalacz Schmitta

✖Grubość materiału to grubość danego materiału. Odnosi się do fizycznego wymiaru obiektu mierzonego prostopadle do jego powierzchni.ⓘ Grubość materiału [t_high-k]			+10% -10%
✖Stała dielektryczna materiału jest miarą zdolności materiału do magazynowania energii elektrycznej w polu elektrycznym.ⓘ Stała dielektryczna materiału [k_high-k]			+10% -10%

✖Równoważna grubość tlenku jest miarą stosowaną w technologii półprzewodników w celu scharakteryzowania właściwości izolacyjnych dielektryka bramki w urządzeniu typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOS).ⓘ Równoważna grubość tlenku [EOT]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Produkcja układów scalonych MOS Formuły PDF PDF Image

Równoważna grubość tlenku Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Równoważna grubość tlenku = Grubość materiału*(3.9/Stała dielektryczna materiału)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Równoważna grubość tlenku - (Mierzone w Metr) - Równoważna grubość tlenku jest miarą stosowaną w technologii półprzewodników w celu scharakteryzowania właściwości izolacyjnych dielektryka bramki w urządzeniu typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOS).
Grubość materiału - (Mierzone w Metr) - Grubość materiału to grubość danego materiału. Odnosi się do fizycznego wymiaru obiektu mierzonego prostopadle do jego powierzchni.
Stała dielektryczna materiału - Stała dielektryczna materiału jest miarą zdolności materiału do magazynowania energii elektrycznej w polu elektrycznym.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Grubość materiału: 8.5 Nanometr --> 8.5E-09 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Stała dielektryczna materiału: 2.26 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)

Ocenianie ... ...

EOT = 1.46681415929204E-08

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.46681415929204E-08 Metr -->14.6681415929204 Nanometr (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

14.6681415929204 ≈ 14.66814 Nanometr <-- Równoważna grubość tlenku

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja układów scalonych MOS » Równoważna grubość tlenku

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Efekt ciała w MOSFET-ie

LaTeX Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

LaTeX Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)

Rezystancja kanału

LaTeX Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

LaTeX Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Zobacz więcej >>