Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Procentu wygranej
Ułamek mieszany
NWW dwóch liczby
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Więcej >>
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Więcej >>
⤿
Układy scalone (IC)
Antena i propagacja fal
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Więcej >>
⤿
Produkcja bipolarnych układów scalonych
Produkcja układów scalonych MOS
Wyzwalacz Schmitta
✖
Domieszkowanie strony N odnosi się do procesu wprowadzania określonych rodzajów zanieczyszczeń do obszaru półprzewodnika typu N urządzenia półprzewodnikowego.
ⓘ
Doping po stronie N [N
dn
]
1 na centymetr sześcienny
1 na metr sześcienny
+10%
-10%
✖
Doping po stronie P odnosi się do procesu wprowadzania określonego rodzaju zanieczyszczeń do obszaru półprzewodnika typu P urządzenia półprzewodnikowego.
ⓘ
Doping po stronie P [N
dp
]
1 na centymetr sześcienny
1 na metr sześcienny
+10%
-10%
✖
Efektywność wtrysku emitera to stosunek prądu elektronów przepływających w emiterze do całkowitego prądu w złączu bazowym emitera.
ⓘ
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania [γ]
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać Układy scalone (IC) Formułę PDF
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Wydajność wtrysku emitera
=
Doping po stronie N
/(
Doping po stronie N
+
Doping po stronie P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
Ta formuła używa
3
Zmienne
Używane zmienne
Wydajność wtrysku emitera
- Efektywność wtrysku emitera to stosunek prądu elektronów przepływających w emiterze do całkowitego prądu w złączu bazowym emitera.
Doping po stronie N
-
(Mierzone w 1 na metr sześcienny)
- Domieszkowanie strony N odnosi się do procesu wprowadzania określonych rodzajów zanieczyszczeń do obszaru półprzewodnika typu N urządzenia półprzewodnikowego.
Doping po stronie P
-
(Mierzone w 1 na metr sześcienny)
- Doping po stronie P odnosi się do procesu wprowadzania określonego rodzaju zanieczyszczeń do obszaru półprzewodnika typu P urządzenia półprzewodnikowego.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Doping po stronie N:
4.8 1 na centymetr sześcienny --> 4800000 1 na metr sześcienny
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
Doping po stronie P:
1.8 1 na centymetr sześcienny --> 1800000 1 na metr sześcienny
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
γ = N
dn
/(N
dn
+N
dp
) -->
4800000/(4800000+1800000)
Ocenianie ... ...
γ
= 0.727272727272727
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.727272727272727 --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.727272727272727
≈
0.727273
<--
Wydajność wtrysku emitera
(Obliczenie zakończone za 00.008 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
Układy scalone (IC)
»
Produkcja bipolarnych układów scalonych
»
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania
Kredyty
Stworzone przez
banuprakasz
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
<
Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory
Przewodność typu N
LaTeX
Iść
Przewodność omowa
=
Opłata
*(
Mobilność krzemu z domieszką elektronów
*
Stężenie równowagowe typu N
+
Hole Doping Mobilność krzemu
*(
Wewnętrzna koncentracja
^2/
Stężenie równowagowe typu N
))
Przewodność omowa zanieczyszczeń
LaTeX
Iść
Przewodność omowa
=
Opłata
*(
Mobilność krzemu z domieszką elektronów
*
Stężenie elektronów
+
Hole Doping Mobilność krzemu
*
Zagęszczenie dziur
)
Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu
LaTeX
Iść
Wewnętrzna koncentracja
=
sqrt
((
Stężenie elektronów
*
Zagęszczenie dziur
)/
Zanieczyszczenie temperaturowe
)
Napięcie przebicia emitera kolektora
LaTeX
Iść
Napięcie przebicia emitera kolektora
=
Napięcie przebicia podstawy kolektora
/(
Obecny zysk BJT
)^(1/
Numer główny
)
Zobacz więcej >>
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania Formułę
LaTeX
Iść
Wydajność wtrysku emitera
=
Doping po stronie N
/(
Doping po stronie N
+
Doping po stronie P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!