Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Procentu wygranej
Ułamek mieszany
NWW dwóch liczby
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Inżynieria chemiczna
Inżynieria materiałowa
Inżynieria produkcji
Mechaniczny
⤿
Układy scalone (IC)
Antena
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Elektronika analogowa
Elektronika mocy
Inżynieria telewizyjna
Komunikacja analogowa
Komunikacja bezprzewodowa
Komunikacja cyfrowa
Komunikacja satelitarna
Linia transmisyjna i antena
Mikroelektronika RF
Produkcja VLSI
Projekt światłowodu
Projektowanie i zastosowania CMOS
Sygnał i systemy
System radarowy
System sterowania
Telekomunikacyjne systemy przełączające
Teoria informacji i kodowanie
Teoria mikrofalowa
Teoria pola elektromagnetycznego
Transmisja światłowodowa
Urządzenia optoelektroniczne
Urządzenia półprzewodnikowe
Wbudowany system
Wzmacniacze
⤿
Produkcja bipolarnych układów scalonych
Produkcja układów scalonych MOS
Wyzwalacz Schmitta
✖
Domieszkowanie strony N odnosi się do procesu wprowadzania określonych rodzajów zanieczyszczeń do obszaru półprzewodnika typu N urządzenia półprzewodnikowego.
ⓘ
Doping po stronie N [N
dn
]
1 na centymetr sześcienny
1 na metr sześcienny
+10%
-10%
✖
Doping po stronie P odnosi się do procesu wprowadzania określonego rodzaju zanieczyszczeń do obszaru półprzewodnika typu P urządzenia półprzewodnikowego.
ⓘ
Doping po stronie P [N
dp
]
1 na centymetr sześcienny
1 na metr sześcienny
+10%
-10%
✖
Efektywność wtrysku emitera to stosunek prądu elektronów przepływających w emiterze do całkowitego prądu w złączu bazowym emitera.
ⓘ
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania [γ]
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania
Formuła
`"γ" = "N"_{"dn"}/("N"_{"dn"}+"N"_{"dp"})`
Przykład
`"0.727273"="4.8/cm³"/("4.8/cm³"+"1.8/cm³")`
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać Układy scalone (IC) Formułę PDF
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Wydajność wtrysku emitera
=
Doping po stronie N
/(
Doping po stronie N
+
Doping po stronie P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
Ta formuła używa
3
Zmienne
Używane zmienne
Wydajność wtrysku emitera
- Efektywność wtrysku emitera to stosunek prądu elektronów przepływających w emiterze do całkowitego prądu w złączu bazowym emitera.
Doping po stronie N
-
(Mierzone w 1 na metr sześcienny)
- Domieszkowanie strony N odnosi się do procesu wprowadzania określonych rodzajów zanieczyszczeń do obszaru półprzewodnika typu N urządzenia półprzewodnikowego.
Doping po stronie P
-
(Mierzone w 1 na metr sześcienny)
- Doping po stronie P odnosi się do procesu wprowadzania określonego rodzaju zanieczyszczeń do obszaru półprzewodnika typu P urządzenia półprzewodnikowego.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Doping po stronie N:
4.8 1 na centymetr sześcienny --> 4800000 1 na metr sześcienny
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
Doping po stronie P:
1.8 1 na centymetr sześcienny --> 1800000 1 na metr sześcienny
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
γ = N
dn
/(N
dn
+N
dp
) -->
4800000/(4800000+1800000)
Ocenianie ... ...
γ
= 0.727272727272727
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.727272727272727 --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.727272727272727
≈
0.727273
<--
Wydajność wtrysku emitera
(Obliczenie zakończone za 00.014 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
Układy scalone (IC)
»
Produkcja bipolarnych układów scalonych
»
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania
Kredyty
Stworzone przez
banuprakasz
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
<
19 Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory
Opór równoległościanu prostokątnego
Iść
Opór
= ((
Oporność
*
Grubość warstwy
)/(
Szerokość rozproszonej warstwy
*
Długość warstwy rozproszonej
))*(
ln
(
Szerokość dolnego prostokąta
/
Długość dolnego prostokąta
)/(
Szerokość dolnego prostokąta
-
Długość dolnego prostokąta
))
Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni
Iść
Całkowita nieczystość
=
Efektywna dyfuzja
*(
Obszar połączenia podstawy emitera
*((
Opłata
*
Wewnętrzna koncentracja
^2)/
Prąd kolektora
)*
exp
(
Emiter podstawy napięcia
/
Napięcie termiczne
))
Przewodność typu N
Iść
Przewodność omowa
=
Opłata
*(
Mobilność krzemu z domieszką elektronów
*
Stężenie równowagowe typu N
+
Hole Doping Mobilność krzemu
*(
Wewnętrzna koncentracja
^2/
Stężenie równowagowe typu N
))
Przewodność typu P
Iść
Przewodność omowa
=
Opłata
*(
Mobilność krzemu z domieszką elektronów
*(
Wewnętrzna koncentracja
^2/
Stężenie równowagowe typu P
)+
Hole Doping Mobilność krzemu
*
Stężenie równowagowe typu P
)
Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się
Iść
Pojemność źródła bramki
= (2/3*
Szerokość tranzystora
*
Długość tranzystora
*
Pojemność tlenkowa
)+(
Szerokość tranzystora
*
Pojemność nakładania
)
Przewodność omowa zanieczyszczeń
Iść
Przewodność omowa
=
Opłata
*(
Mobilność krzemu z domieszką elektronów
*
Stężenie elektronów
+
Hole Doping Mobilność krzemu
*
Zagęszczenie dziur
)
Prąd kolektora tranzystora PNP
Iść
Prąd kolektora
= (
Opłata
*
Obszar połączenia podstawy emitera
*
Stężenie równowagowe typu N
*
Stała dyfuzji dla PNP
)/
Szerokość podstawy
Prąd nasycenia w tranzystorze
Iść
Prąd nasycenia
= (
Opłata
*
Obszar połączenia podstawy emitera
*
Efektywna dyfuzja
*
Wewnętrzna koncentracja
^2)/
Całkowita nieczystość
Pobór mocy obciążenia pojemnościowego przy danym napięciu zasilania
Iść
Pobór mocy obciążenia pojemnościowego
=
Pojemność obciążenia
*
Napięcie zasilania
^2*
Częstotliwość sygnału wyjściowego
*
Całkowita liczba przełączanych wyjść
Opór arkusza warstwy
Iść
Odporność arkusza
= 1/(
Opłata
*
Mobilność krzemu z domieszką elektronów
*
Stężenie równowagowe typu N
*
Grubość warstwy
)
Opór warstwy rozproszonej
Iść
Opór
= (1/
Przewodność omowa
)*(
Długość warstwy rozproszonej
/(
Szerokość rozproszonej warstwy
*
Grubość warstwy
))
Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu
Iść
Wewnętrzna koncentracja
=
sqrt
((
Stężenie elektronów
*
Zagęszczenie dziur
)/
Zanieczyszczenie temperaturowe
)
Dziura gęstości prądu
Iść
Gęstość prądu otworu
=
Opłata
*
Stała dyfuzji dla PNP
*(
Stężenie równowagi w otworze
/
Szerokość podstawy
)
Napięcie przebicia emitera kolektora
Iść
Napięcie przebicia emitera kolektora
=
Napięcie przebicia podstawy kolektora
/(
Obecny zysk BJT
)^(1/
Numer główny
)
Wydajność wtrysku emitera
Iść
Wydajność wtrysku emitera
=
Prąd emitera
/(
Prąd emitera powodowany przez elektrony
+
Prąd emitera z powodu dziur
)
Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych
Iść
Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych
=
Częstotliwość sygnału wyjściowego
/
Napięcie wejściowe
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania
Iść
Wydajność wtrysku emitera
=
Doping po stronie N
/(
Doping po stronie N
+
Doping po stronie P
)
Prąd płynący w diodzie Zenera
Iść
Prąd diody
= (
Wejściowe napięcie odniesienia
-
Stabilne napięcie wyjściowe
)/
Opór Zenera
Podstawowy współczynnik transportu przy danej szerokości podstawowej
Iść
Podstawowy współczynnik transportu
= 1-(1/2*(
Szerokość fizyczna
/
Długość dyfuzji elektronów
)^2)
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania Formułę
Wydajność wtrysku emitera
=
Doping po stronie N
/(
Doping po stronie N
+
Doping po stronie P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!