Kalkulator NWW

Dryf gęstości prądu z powodu dziur Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Układy scalone (IC)Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Produkcja układów scalonych MOS Produkcja bipolarnych układów scalonych Wyzwalacz Schmitta

✖Stężenie dziur odnosi się do liczby elektronów na jednostkę objętości materiału.ⓘ Zagęszczenie dziur [p]			+10% -10%
✖Mobilność dziur reprezentuje zdolność tych nośników ładunku do poruszania się w odpowiedzi na pole elektryczne.ⓘ Mobilność dziury [μ_p]			+10% -10%
✖Natężenie pola elektrycznego jest wielkością wektorową reprezentującą siłę wywieraną przez dodatni ładunek próbny w danym punkcie przestrzeni ze względu na obecność innych ładunków.ⓘ Natężenie pola elektrycznego [E_i]			+10% -10%

✖Gęstość prądu dryfu spowodowana dziurami odnosi się do ruchu nośników ładunku (dziur) w materiale półprzewodnikowym pod wpływem pola elektrycznego.ⓘ Dryf gęstości prądu z powodu dziur [J_p]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Produkcja układów scalonych MOS Formuły PDF PDF Image

Dryf gęstości prądu z powodu dziur Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Dryf gęstości prądu z powodu dziur = [Charge-e]*Zagęszczenie dziur*Mobilność dziury*Natężenie pola elektrycznego
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i
Ta formuła używa 1 Stałe, 4 Zmienne

Używane stałe

[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19

Używane zmienne

Dryf gęstości prądu z powodu dziur - (Mierzone w Amper na metr kwadratowy) - Gęstość prądu dryfu spowodowana dziurami odnosi się do ruchu nośników ładunku (dziur) w materiale półprzewodnikowym pod wpływem pola elektrycznego.
Zagęszczenie dziur - (Mierzone w Elektrony na metr sześcienny) - Stężenie dziur odnosi się do liczby elektronów na jednostkę objętości materiału.
Mobilność dziury - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność dziur reprezentuje zdolność tych nośników ładunku do poruszania się w odpowiedzi na pole elektryczne.
Natężenie pola elektrycznego - (Mierzone w Wolt na metr) - Natężenie pola elektrycznego jest wielkością wektorową reprezentującą siłę wywieraną przez dodatni ładunek próbny w danym punkcie przestrzeni ze względu na obecność innych ładunków.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Zagęszczenie dziur: 1E+20 Elektrony na metr sześcienny --> 1E+20 Elektrony na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Mobilność dziury: 400 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 400 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Natężenie pola elektrycznego: 11.2 Wolt na metr --> 11.2 Wolt na metr Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i --> [Charge-e]*1E+20*400*11.2

Ocenianie ... ...

J_p = 71777.512576

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

71777.512576 Amper na metr kwadratowy -->0.071777512576 Amper na milimetr kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.071777512576 ≈ 0.071778 Amper na milimetr kwadratowy <-- Dryf gęstości prądu z powodu dziur

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja układów scalonych MOS » Dryf gęstości prądu z powodu dziur

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Efekt ciała w MOSFET-ie

LaTeX Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

LaTeX Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)

Rezystancja kanału

LaTeX Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

LaTeX Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Zobacz więcej >>