Rezystancja wyjściowa drenu Kalkulator

✖Średnia droga swobodna elektronu, która reprezentuje średnią odległość, jaką elektron może pokonać bez rozpraszania przez zanieczyszczenia, uszkodzenia lub inne przeszkody w urządzeniu półprzewodnikowym.ⓘ Średnia droga swobodna elektronu [λ]			+10% -10%
✖Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.ⓘ Prąd spustowy [i_d]			+10% -10%

✖Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.ⓘ Rezystancja wyjściowa drenu [R_out]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Rezystancja wyjściowa drenu Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Rezystancja wyjściowa = 1/(Średnia droga swobodna elektronu*Prąd spustowy)
R_out = 1/(λ*i_d)
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.
Średnia droga swobodna elektronu - Średnia droga swobodna elektronu, która reprezentuje średnią odległość, jaką elektron może pokonać bez rozpraszania przez zanieczyszczenia, uszkodzenia lub inne przeszkody w urządzeniu półprzewodnikowym.
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Średnia droga swobodna elektronu: 2.78 --> Nie jest wymagana konwersja
Prąd spustowy: 0.08 Miliamper --> 8E-05 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_out = 1/(λ*i_d) --> 1/(2.78*8E-05)

Ocenianie ... ...

R_out = 4496.40287769784

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

4496.40287769784 Om -->4.49640287769784 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

4.49640287769784 ≈ 4.496403 Kilohm <-- Rezystancja wyjściowa

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Opór » Rezystancja wyjściowa drenu

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Opór Kalkulatory

MOSFET jako rezystancja liniowa przy danym współczynniku kształtu

LaTeX Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Efektywne napięcie)

Skończony opór między drenem a źródłem

LaTeX Iść Skończony opór = modulus(Dodatnie napięcie prądu stałego)/Prąd spustowy

Średnia droga swobodna elektronu

LaTeX Iść Średnia droga swobodna elektronu = 1/(Rezystancja wyjściowa*Prąd spustowy)

Rezystancja wyjściowa drenu

LaTeX Iść Rezystancja wyjściowa = 1/(Średnia droga swobodna elektronu*Prąd spustowy)

Zobacz więcej >>

Rezystancja wyjściowa drenu Formułę

LaTeX Iść

Rezystancja wyjściowa = 1/(Średnia droga swobodna elektronu*Prąd spustowy)
R_out = 1/(λ*i_d)

Jakie jest zastosowanie transkonduktancji w MOSFET?

Transkonduktancja jest wyrazem działania tranzystora bipolarnego lub tranzystora polowego (FET). Ogólnie rzecz biorąc, im większy współczynnik transkonduktancji dla urządzenia, tym większe wzmocnienie (wzmocnienie), które jest w stanie zapewnić, gdy wszystkie inne czynniki są utrzymywane na stałym poziomie.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!