Prąd drenu tranzystora Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Prąd spustowy = (Podstawowe napięcie składowe+Całkowite chwilowe napięcie drenu)/Odporność na drenaż
id = (Vfc+Vd)/Rd
Ta formuła używa 4 Zmienne
Używane zmienne
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu poniżej napięcia progowego definiuje się jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo w zależności od napięcia bramki-źródła.
Podstawowe napięcie składowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie składowej podstawowej jest pierwszą harmoniczną napięcia w analizie harmonicznej fali prostokątnej napięcia w obwodzie opartym na falowniku.
Całkowite chwilowe napięcie drenu - (Mierzone w Wolt) - Całkowite chwilowe napięcie drenu to napięcie, które spada na zacisk źródłowo-bramkowy tranzystora.
Odporność na drenaż - (Mierzone w Om) - Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Podstawowe napięcie składowe: 5 Wolt --> 5 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Całkowite chwilowe napięcie drenu: 1.284 Wolt --> 1.284 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Odporność na drenaż: 0.36 Kilohm --> 360 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
id = (Vfc+Vd)/Rd --> (5+1.284)/360
Ocenianie ... ...
id = 0.0174555555555556
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.0174555555555556 Amper -->17.4555555555556 Miliamper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
17.4555555555556 17.45556 Miliamper <-- Prąd spustowy
(Obliczenie zakończone za 00.015 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Kalkulatory

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym
​ LaTeX ​ Iść Prąd wyjściowy = (Mobilność elektronu*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia))*Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem
Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu
​ LaTeX ​ Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2
Całkowite chwilowe napięcie drenu
​ LaTeX ​ Iść Całkowite chwilowe napięcie drenu = Podstawowe napięcie składowe-Odporność na drenaż*Prąd spustowy
Napięcie wejściowe w tranzystorze
​ LaTeX ​ Iść Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu

Prąd drenu tranzystora Formułę

​LaTeX ​Iść
Prąd spustowy = (Podstawowe napięcie składowe+Całkowite chwilowe napięcie drenu)/Odporność na drenaż
id = (Vfc+Vd)/Rd

Jaki jest pożytek z obwodu wspólnej bramki?

Ta konfiguracja obwodu jest zwykle używana jako wzmacniacz napięcia. Źródło FET w tej konfiguracji działa jako wejście, a dren jako wyjście.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!