Prąd drenu w obszarze nasycenia tranzystora MOS Kalkulator

✖Szerokość kanału reprezentuje szerokość kanału przewodzącego w MOSFET-ie, bezpośrednio wpływając na ilość prądu, jaki może obsłużyć.ⓘ Szerokość kanału [W]			+10% -10%
✖Prędkość dryfu elektronów w stanie nasycenia reprezentuje prędkość dryfu elektronów przy nasyceniu tranzystora MOSFET przy niskim polu elektrycznym.ⓘ Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu [V_d(sat)]			+10% -10%
✖Ładunek jest podstawową właściwością form materii, które wykazują przyciąganie lub odpychanie elektrostatyczne w obecności innej materii.ⓘ Opłata [q]			+10% -10%
✖Parametr krótkiego kanału to parametr (potencjalnie specyficzny dla modelu) używany do opisu charakterystyki obszaru kanału w krótkokanałowym MOSFET-ie.ⓘ Parametr krótkiego kanału [n_x]			+10% -10%
✖Efektywna długość kanału to część kanału, która aktywnie przewodzi prąd, gdy tranzystor działa.ⓘ Efektywna długość kanału [L_eff]			+10% -10%

✖Prąd drenu obszaru nasycenia to prąd płynący od zacisku drenu do zacisku źródła, gdy tranzystor pracuje w określonym trybie.ⓘ Prąd drenu w obszarze nasycenia tranzystora MOS [I_D(sat)]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Prąd drenu w obszarze nasycenia tranzystora MOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd drenu obszaru nasycenia = Szerokość kanału*Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu*int(Opłata*Parametr krótkiego kanału,x,0,Efektywna długość kanału)
I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 6 Zmienne

Używane funkcje

int - Całki oznaczonej można użyć do obliczenia pola powierzchni netto ze znakiem, które jest różnicą pola powierzchni nad osią x i pola powierzchni pod osią x., int(expr, arg, from, to)

Używane zmienne

Prąd drenu obszaru nasycenia - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu obszaru nasycenia to prąd płynący od zacisku drenu do zacisku źródła, gdy tranzystor pracuje w określonym trybie.
Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału reprezentuje szerokość kanału przewodzącego w MOSFET-ie, bezpośrednio wpływając na ilość prądu, jaki może obsłużyć.
Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu - (Mierzone w Metr na sekundę) - Prędkość dryfu elektronów w stanie nasycenia reprezentuje prędkość dryfu elektronów przy nasyceniu tranzystora MOSFET przy niskim polu elektrycznym.
Opłata - (Mierzone w Kulomb) - Ładunek jest podstawową właściwością form materii, które wykazują przyciąganie lub odpychanie elektrostatyczne w obecności innej materii.
Parametr krótkiego kanału - Parametr krótkiego kanału to parametr (potencjalnie specyficzny dla modelu) używany do opisu charakterystyki obszaru kanału w krótkokanałowym MOSFET-ie.
Efektywna długość kanału - (Mierzone w Metr) - Efektywna długość kanału to część kanału, która aktywnie przewodzi prąd, gdy tranzystor działa.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Szerokość kanału: 2.678 Metr --> 2.678 Metr Nie jest wymagana konwersja
Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu: 5.773 Metr na sekundę --> 5.773 Metr na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Opłata: 0.3 Kulomb --> 0.3 Kulomb Nie jest wymagana konwersja
Parametr krótkiego kanału: 5.12 --> Nie jest wymagana konwersja
Efektywna długość kanału: 7.76 Metr --> 7.76 Metr Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff) --> 2.678*5.773*int(0.3*5.12,x,0,7.76)

Ocenianie ... ...

I_D(sat) = 184.27442601984

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

184.27442601984 Amper --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

184.27442601984 ≈ 184.2744 Amper <-- Prąd drenu obszaru nasycenia

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Tranzystor MOS » Prąd drenu w obszarze nasycenia tranzystora MOS

Kredyty

Stworzone przez Vignesha Naidu

Instytut Technologii Vellore (WIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesha Naidu utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Tranzystor MOS Kalkulatory

Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

LaTeX Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej = -(2*sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe)*(sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie końcowe)-sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie początkowe)))

Potencjał Fermiego dla typu P

LaTeX Iść Potencjał Fermiego dla typu P = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Wewnętrzne stężenie nośnika/Dopingujące stężenie akceptora)

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

LaTeX Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

LaTeX Iść Pojemność złącza ściany bocznej = Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej*Głębokość ściany bocznej

Zobacz więcej >>