Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Prąd spustowy = (Szerokość kanału/Długość kanału)*Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa*int((Napięcie źródła bramki-x-Próg napięcia),x,0,Napięcie źródła drenu)
ID = (W/L)*μn*Cox*int((VGS-x-VT),x,0,VDS)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 8 Zmienne
Używane funkcje
int - Całki oznaczonej można użyć do obliczenia pola powierzchni netto ze znakiem, które jest różnicą pola powierzchni nad osią x i pola powierzchni pod osią x., int(expr, arg, from, to)
Używane zmienne
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu to prąd płynący od zacisku drenu do zacisku źródła, kontrolowany przez napięcie przyłożone do bramki.
Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału reprezentuje szerokość kanału przewodzącego w MOSFET-ie, bezpośrednio wpływając na ilość prądu, jaki może obsłużyć.
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału w MOSFET-ie to odległość pomiędzy obszarem źródła i drenu, określająca łatwość przepływu prądu i wpływająca na wydajność tranzystora.
Mobilność elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność elektronów w MOSFET opisuje, jak łatwo elektrony mogą przemieszczać się przez kanał, bezpośrednio wpływając na przepływ prądu dla danego napięcia.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.
Napięcie źródła bramki - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła bramki to napięcie przyłożone pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora MOSFET.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.
Napięcie źródła drenu - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła drenu to napięcie przyłożone pomiędzy zaciskiem drenu i źródła.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Szerokość kanału: 2.678 Metr --> 2.678 Metr Nie jest wymagana konwersja
Długość kanału: 3.45 Metr --> 3.45 Metr Nie jest wymagana konwersja
Mobilność elektronów: 9.92 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 9.92 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pojemność tlenkowa: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nie jest wymagana konwersja
Napięcie źródła bramki: 29.65 Wolt --> 29.65 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 5.91 Wolt --> 5.91 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie źródła drenu: 45 Wolt --> 45 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
ID = (W/L)*μn*Cox*int((VGS-x-VT),x,0,VDS) --> (2.678/3.45)*9.92*3.9*int((29.65-x-5.91),x,0,45)
Ocenianie ... ...
ID = 1675.72193947826
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1675.72193947826 Amper --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1675.72193947826 1675.722 Amper <-- Prąd spustowy
(Obliczenie zakończone za 00.009 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Vignesha Naidu
Instytut Technologii Vellore (WIT), Vellore, Tamil Nadu
Vignesha Naidu utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick
Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta
Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Tranzystor MOS Kalkulatory

Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej
​ LaTeX ​ Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej = -(2*sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe)*(sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie końcowe)-sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie początkowe)))
Potencjał Fermiego dla typu P
​ LaTeX ​ Iść Potencjał Fermiego dla typu P = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Wewnętrzne stężenie nośnika/Dopingujące stężenie akceptora)
Równoważna pojemność złącza dużego sygnału
​ LaTeX ​ Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej
Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości
​ LaTeX ​ Iść Pojemność złącza ściany bocznej = Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej*Głębokość ściany bocznej

Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS Formułę

​LaTeX ​Iść
Prąd spustowy = (Szerokość kanału/Długość kanału)*Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa*int((Napięcie źródła bramki-x-Próg napięcia),x,0,Napięcie źródła drenu)
ID = (W/L)*μn*Cox*int((VGS-x-VT),x,0,VDS)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!