Kalkulator NWW

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Układy scalone (IC)Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Produkcja układów scalonych MOS Produkcja bipolarnych układów scalonych Wyzwalacz Schmitta

✖Parametr transkonduktancji definiuje się jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego urządzenia.ⓘ Parametr transkonduktancji [β]			+10% -10%
✖Napięcie źródła bramki odnosi się do różnicy potencjałów pomiędzy zaciskiem bramki a zaciskiem źródła urządzenia. Napięcie to odgrywa kluczową rolę w kontrolowaniu przewodności MOSFET-u.ⓘ Napięcie źródła bramki [V_gs]			+10% -10%
✖Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu korpusu odnosi się do napięcia progowego, gdy do podłoża półprzewodnikowego (zacisku korpusu) nie jest przyłożone żadne zewnętrzne obciążenie.ⓘ Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała [V_th]			+10% -10%
✖Modulacja długości kanału Współczynnik, w którym efektywna długość kanału wzrasta wraz ze wzrostem napięcia dren-źródło.ⓘ Współczynnik modulacji długości kanału [λ_i]			+10% -10%
✖Napięcie źródła drenu to napięcie na zaciskach drenu i źródła.ⓘ Napięcie źródła drenu [V_ds]			+10% -10%

✖Prąd drenu odnosi się do prądu przepływającego pomiędzy zaciskami drenu i źródła tranzystora podczas jego pracy.ⓘ Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia [I_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

Formuła

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

Przykład

0.013718 A = \frac{0.0025 S}{2} \cdot {(2.45 V - 3.4 V)}^{2} \cdot (1 + 9 \cdot 1.24 V)

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Produkcja układów scalonych MOS Formuły PDF PDF Image

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)
I_d = β/2*(V_gs-V_th)^2*(1+λ_i*V_ds)
Ta formuła używa 6 Zmienne

Używane zmienne

Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu odnosi się do prądu przepływającego pomiędzy zaciskami drenu i źródła tranzystora podczas jego pracy.
Parametr transkonduktancji - (Mierzone w Siemens) - Parametr transkonduktancji definiuje się jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego urządzenia.
Napięcie źródła bramki - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła bramki odnosi się do różnicy potencjałów pomiędzy zaciskiem bramki a zaciskiem źródła urządzenia. Napięcie to odgrywa kluczową rolę w kontrolowaniu przewodności MOSFET-u.
Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu korpusu odnosi się do napięcia progowego, gdy do podłoża półprzewodnikowego (zacisku korpusu) nie jest przyłożone żadne zewnętrzne obciążenie.
Współczynnik modulacji długości kanału - Modulacja długości kanału Współczynnik, w którym efektywna długość kanału wzrasta wraz ze wzrostem napięcia dren-źródło.
Napięcie źródła drenu - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła drenu to napięcie na zaciskach drenu i źródła.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Parametr transkonduktancji: 0.0025 Siemens --> 0.0025 Siemens Nie jest wymagana konwersja
Napięcie źródła bramki: 2.45 Wolt --> 2.45 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała: 3.4 Wolt --> 3.4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Współczynnik modulacji długości kanału: 9 --> Nie jest wymagana konwersja
Napięcie źródła drenu: 1.24 Wolt --> 1.24 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_d = β/2*(V_gs-V_th)^2*(1+λ_i*V_ds) --> 0.0025/2*(2.45-3.4)^2*(1+9*1.24)

Ocenianie ... ...

I_d = 0.013718

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.013718 Amper --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.013718 Amper <-- Prąd spustowy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja układów scalonych MOS » Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Efekt ciała w MOSFET-ie

Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)

Rezystancja kanału

Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Zobacz więcej >>