Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS Kalkulator

✖Parametr procesu transkonduktancji w PMOS (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.ⓘ Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Współczynnik proporcji definiuje się jako stosunek szerokości kanału tranzystora do jego długości. Jest to stosunek szerokości bramki do odległości od źródłaⓘ Współczynnik proporcji [WL]			+10% -10%
✖Napięcie między bramką a źródłem tranzystora polowego (FET) jest znane jako napięcie bramka-źródło (VGS). Jest to ważny parametr wpływający na działanie tranzystora FET.ⓘ Napięcie między bramką a źródłem [V_GS]			+10% -10%
✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [V_T]			+10% -10%
✖Napięcie między drenem a źródłem jest kluczowym parametrem w działaniu tranzystora polowego (FET) i jest często określane jako „napięcie dren-źródło” lub VDS.ⓘ Napięcie między drenem a źródłem [V_DS]			+10% -10%

✖Prąd drenu to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).ⓘ Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS [I_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*((Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))*Napięcie między drenem a źródłem-1/2*(Napięcie między drenem a źródłem)^2)
I_d = k'_p*WL*((V_GS-modulus(V_T))*V_DS-1/2*(V_DS)^2)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 6 Zmienne

Używane funkcje

modulus - Moduł liczby to reszta z dzielenia tej liczby przez inną liczbę., modulus

Używane zmienne

Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).
Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS - (Mierzone w Siemens) - Parametr procesu transkonduktancji w PMOS (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.
Współczynnik proporcji - Współczynnik proporcji definiuje się jako stosunek szerokości kanału tranzystora do jego długości. Jest to stosunek szerokości bramki do odległości od źródła
Napięcie między bramką a źródłem - (Mierzone w Wolt) - Napięcie między bramką a źródłem tranzystora polowego (FET) jest znane jako napięcie bramka-źródło (VGS). Jest to ważny parametr wpływający na działanie tranzystora FET.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.
Napięcie między drenem a źródłem - (Mierzone w Wolt) - Napięcie między drenem a źródłem jest kluczowym parametrem w działaniu tranzystora polowego (FET) i jest często określane jako „napięcie dren-źródło” lub VDS.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Współczynnik proporcji: 6 --> Nie jest wymagana konwersja
Napięcie między bramką a źródłem: 2.86 Wolt --> 2.86 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 0.7 Wolt --> 0.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie między drenem a źródłem: 2.45 Wolt --> 2.45 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_d = k'_p*WL*((V_GS-modulus(V_T))*V_DS-1/2*(V_DS)^2) --> 0.0021*6*((2.86-modulus(0.7))*2.45-1/2*(2.45)^2)

Ocenianie ... ...

I_d = 0.02886345

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.02886345 Amper -->28.86345 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

28.86345 Miliamper <-- Prąd spustowy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Wzmocnienie kanału P » Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Wzmocnienie kanału P Kalkulatory

Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS

LaTeX Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*((Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))*Napięcie między drenem a źródłem-1/2*(Napięcie między drenem a źródłem)^2)

Prąd drenażowy w regionie triody tranzystora PMOS, biorąc pod uwagę Vsd

LaTeX Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(modulus(Efektywne napięcie)-1/2*Napięcie między drenem a źródłem)*Napięcie między drenem a źródłem

Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS

LaTeX Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2

Prąd odpływowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS podanego Vov

LaTeX Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Efektywne napięcie)^2

Zobacz więcej >>

Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS Formułę

LaTeX Iść

Co to jest prąd drenu w tranzystorze MOSFET?

Prąd drenu poniżej napięcia progowego jest definiowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z Vgs. Odwrotność nachylenia krzywej logicznej (Ids) względem charakterystyki Vgs jest definiowana jako nachylenie podprogowe, S i jest jedną z najbardziej krytycznych metryk wydajności dla tranzystorów MOSFET w zastosowaniach logicznych.

W jaki sposób prąd płynie w PMOS?

W NMOS nośnikami ładunku są elektrony. Tak więc elektrony przemieszczają się ze źródła do odpływu (co oznacza, że prąd płynie z drenu> źródła). W PMOS ładunek przenosi dziury. Zatem dziury przemieszczają się od źródła do drenażu.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!