✖Szerokość złącza to parametr określający, jak szerokie jest złącze bazowe dowolnego analogowego elementu elektronicznego.ⓘ Szerokość skrzyżowania [W] | | | +10% -10% |
✖Ładunek warstwy inwersyjnej odnosi się do gromadzenia się nośników ładunku na granicy między półprzewodnikiem a izolującą warstwą tlenku, gdy napięcie jest przykładane do elektrody bramki.ⓘ Opłata warstwy inwersyjnej [Qp] | | | +10% -10% |
✖Ruchliwość dziur w kanale zależy od różnych czynników, takich jak struktura krystaliczna materiału półprzewodnikowego, obecność zanieczyszczeń, temperatura,ⓘ Ruchliwość otworów w kanale [μp] | | | +10% -10% |
✖Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale to siła pola elektrycznego istniejącego w materiale pod tlenkową warstwą bramki, w obszarze, w którym tworzy się warstwa inwersyjna.ⓘ Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale [Ey] | | | +10% -10% |