Kalkulator NWW

Dziura gęstości prądu Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Układy scalone (IC)Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Produkcja bipolarnych układów scalonych Produkcja układów scalonych MOS Wyzwalacz Schmitta

✖Ładunek cecha jednostki materii wyrażająca stopień, w jakim ma ona więcej lub mniej elektronów niż protonów.ⓘ Opłata [q]			+10% -10%
✖Stała dyfuzji dla PNP opisuje, jak łatwo te nośniki mniejszościowe dyfundują przez materiał półprzewodnikowy, gdy przyłożone jest pole elektryczne.ⓘ Stała dyfuzji dla PNP [D_p]			+10% -10%
✖Stężenie równowagi otworów jest charakterystyczną właściwością materiału i jest określane przez czynniki wewnętrzne, takie jak energia pasma wzbronionego i temperatura.ⓘ Stężenie równowagi w otworze [p_n]			+10% -10%
✖Szerokość podstawy jest ważnym parametrem wpływającym na charakterystykę tranzystora, zwłaszcza na jego pracę i prędkość.ⓘ Szerokość podstawy [W_b]			+10% -10%

✖Gęstość prądu dziury ma wpływ na całkowity prąd w urządzeniu półprzewodnikowym i jest parametrem niezbędnym do zrozumienia zachowania półprzewodnika.ⓘ Dziura gęstości prądu [J_p]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Dziura gęstości prądu

Formuła

J p = q \cdot D p \cdot (\frac{p n}{W b})

Przykład

4.375 A/cm² = 5 mC \cdot 100 cm²/s \cdot (\frac{70 /cm³}{8 cm})

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Układy scalone (IC) Formułę PDF PDF Image

Dziura gęstości prądu Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Gęstość prądu otworu = Opłata*Stała dyfuzji dla PNP*(Stężenie równowagi w otworze/Szerokość podstawy)
J_p = q*D_p*(p_n/W_b)
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Gęstość prądu otworu - (Mierzone w Amper na metr kwadratowy) - Gęstość prądu dziury ma wpływ na całkowity prąd w urządzeniu półprzewodnikowym i jest parametrem niezbędnym do zrozumienia zachowania półprzewodnika.
Opłata - (Mierzone w Kulomb) - Ładunek cecha jednostki materii wyrażająca stopień, w jakim ma ona więcej lub mniej elektronów niż protonów.
Stała dyfuzji dla PNP - (Mierzone w Metr kwadratowy na sekundę) - Stała dyfuzji dla PNP opisuje, jak łatwo te nośniki mniejszościowe dyfundują przez materiał półprzewodnikowy, gdy przyłożone jest pole elektryczne.
Stężenie równowagi w otworze - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie równowagi otworów jest charakterystyczną właściwością materiału i jest określane przez czynniki wewnętrzne, takie jak energia pasma wzbronionego i temperatura.
Szerokość podstawy - (Mierzone w Metr) - Szerokość podstawy jest ważnym parametrem wpływającym na charakterystykę tranzystora, zwłaszcza na jego pracę i prędkość.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Opłata: 5 Millicoulomb --> 0.005 Kulomb (Sprawdź konwersję tutaj)
Stała dyfuzji dla PNP: 100 Centymetr kwadratowy na sekundę --> 0.01 Metr kwadratowy na sekundę (Sprawdź konwersję tutaj)
Stężenie równowagi w otworze: 70 1 na centymetr sześcienny --> 70000000 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Szerokość podstawy: 8 Centymetr --> 0.08 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

J_p = q*D_p*(p_n/W_b) --> 0.005*0.01*(70000000/0.08)

Ocenianie ... ...

J_p = 43750

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

43750 Amper na metr kwadratowy -->4.375 Amper na centymetr kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

4.375 Amper na centymetr kwadratowy <-- Gęstość prądu otworu

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja bipolarnych układów scalonych » Dziura gęstości prądu

Kredyty

Stworzone przez Rahula Guptę

Uniwersytet Chandigarh (CU), Mohali, Pendżab

Rahula Guptę utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Ritwik Tripathi

Vellore Instytut Technologiczny (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi zweryfikował ten kalkulator i 100+ więcej kalkulatorów!

< Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory

Przewodność typu N

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N+Hole Doping Mobilność krzemu*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu N))

Przewodność omowa zanieczyszczeń

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie elektronów+Hole Doping Mobilność krzemu*Zagęszczenie dziur)

Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu

Iść Wewnętrzna koncentracja = sqrt((Stężenie elektronów*Zagęszczenie dziur)/Zanieczyszczenie temperaturowe)

Napięcie przebicia emitera kolektora

Iść Napięcie przebicia emitera kolektora = Napięcie przebicia podstawy kolektora/(Obecny zysk BJT)^(1/Numer główny)

Zobacz więcej >>

Dziura gęstości prądu Formułę

Gęstość prądu otworu = Opłata*Stała dyfuzji dla PNP*(Stężenie równowagi w otworze/Szerokość podstawy)
J_p = q*D_p*(p_n/W_b)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!