Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym Kalkulator

✖Mobilność elektronu definiuje się jako wielkość średniej prędkości dryfu na jednostkę pola elektrycznego.ⓘ Mobilność elektronu [μ_e]			+10% -10%
✖pojemność tlenkowa to pojemność kondensatora płytkowego równoległego na jednostkę powierzchni bramki.ⓘ Pojemność tlenkowa [C_ox]			+10% -10%
✖Szerokość kanału to wymiar kanału MOSFET-u.ⓘ Szerokość kanału [W_c]			+10% -10%
✖Długość kanału L, czyli odległość między dwoma złączami -p.ⓘ Długość kanału [L]			+10% -10%
✖Napięcie na tlenku wynika z ładunku na granicy faz tlenek-półprzewodnik, a trzeci człon wynika z gęstości ładunku w tlenku.ⓘ Napięcie na tlenku [V_ox]			+10% -10%
✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [V_t]			+10% -10%
✖Napięcie nasycenia między drenem a źródłem tranzystora to napięcie z kolektora i emitera wymagane do nasycenia.ⓘ Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem [V_ds]			+10% -10%

✖Prąd wyjściowy to prąd pobierany przez wzmacniacz ze źródła sygnału.ⓘ Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym [i_o]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Formuły PDF PDF Image

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd wyjściowy = (Mobilność elektronu*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia))*Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem
i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds
Ta formuła używa 8 Zmienne

Używane zmienne

Prąd wyjściowy - (Mierzone w Amper) - Prąd wyjściowy to prąd pobierany przez wzmacniacz ze źródła sygnału.
Mobilność elektronu - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność elektronu definiuje się jako wielkość średniej prędkości dryfu na jednostkę pola elektrycznego.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad na metr kwadratowy) - pojemność tlenkowa to pojemność kondensatora płytkowego równoległego na jednostkę powierzchni bramki.
Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału to wymiar kanału MOSFET-u.
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału L, czyli odległość między dwoma złączami -p.
Napięcie na tlenku - (Mierzone w Wolt) - Napięcie na tlenku wynika z ładunku na granicy faz tlenek-półprzewodnik, a trzeci człon wynika z gęstości ładunku w tlenku.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.
Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem - (Mierzone w Wolt) - Napięcie nasycenia między drenem a źródłem tranzystora to napięcie z kolektora i emitera wymagane do nasycenia.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Mobilność elektronu: 0.012 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 0.012 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pojemność tlenkowa: 0.001 Farad na metr kwadratowy --> 0.001 Farad na metr kwadratowy Nie jest wymagana konwersja
Szerokość kanału: 10.15 Mikrometr --> 1.015E-05 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość kanału: 3.25 Mikrometr --> 3.25E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie na tlenku: 3.775 Wolt --> 3.775 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 2 Wolt --> 2 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem: 220 Wolt --> 220 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds --> (0.012*0.001*(1.015E-05/3.25E-06)*(3.775-2))*220

Ocenianie ... ...

i_o = 0.0146347384615385

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0146347384615385 Amper -->14.6347384615385 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

14.6347384615385 ≈ 14.63474 Miliamper <-- Prąd wyjściowy

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego » Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Kalkulatory

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym

LaTeX Iść Prąd wyjściowy = (Mobilność elektronu*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia))*Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem

Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu

LaTeX Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2

Całkowite chwilowe napięcie drenu

LaTeX Iść Całkowite chwilowe napięcie drenu = Podstawowe napięcie składowe-Odporność na drenaż*Prąd spustowy

Napięcie wejściowe w tranzystorze

LaTeX Iść Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu

Zobacz więcej >>

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym Formułę

LaTeX Iść

Wyjaśnij działanie tranzystora NMOS.

Tranzystor NMOS z napięciem na źródle gazu> napięcie progowe i z niewielkim napięciem między drenem a źródłem. Urządzenie działa jako rezystancja, której wartość jest określana przez napięcie na źródle gazu. W szczególności przewodnictwo kanału jest proporcjonalne do napięcia na źródle gazu - napięcie progowe, a zatem Id jest proporcjonalne do (napięcie na źródle gazu - napięcie progowe) między drenem a źródłem.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!