Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności Kalkulator

✖Ruchliwość dziur w kanale zależy od różnych czynników, takich jak struktura krystaliczna materiału półprzewodnikowego, obecność zanieczyszczeń, temperatura,ⓘ Ruchliwość otworów w kanale [μ_p]			+10% -10%
✖Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale to siła pola elektrycznego istniejącego w materiale pod tlenkową warstwą bramki, w obszarze, w którym tworzy się warstwa inwersyjna.ⓘ Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale [E_y]			+10% -10%

✖Prędkość dryfu warstwy inwersyjnej w tranzystorze MOSFET to średnia prędkość elektronów tworzących warstwę inwersyjną podczas przemieszczania się przez materiał pod wpływem pola elektrycznego.ⓘ Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności [V_y]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prędkość dryfu inwersji = Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale
V_y = μ_p*E_y
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Prędkość dryfu inwersji - (Mierzone w Metr na sekundę) - Prędkość dryfu warstwy inwersyjnej w tranzystorze MOSFET to średnia prędkość elektronów tworzących warstwę inwersyjną podczas przemieszczania się przez materiał pod wpływem pola elektrycznego.
Ruchliwość otworów w kanale - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość dziur w kanale zależy od różnych czynników, takich jak struktura krystaliczna materiału półprzewodnikowego, obecność zanieczyszczeń, temperatura,
Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale - (Mierzone w Wolt na metr) - Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale to siła pola elektrycznego istniejącego w materiale pod tlenkową warstwą bramki, w obszarze, w którym tworzy się warstwa inwersyjna.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Ruchliwość otworów w kanale: 2.66 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 2.66 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale: 5.5 Wolt na metr --> 5.5 Wolt na metr Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_y = μ_p*E_y --> 2.66*5.5

Ocenianie ... ...

V_y = 14.63

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

14.63 Metr na sekundę -->1463 Centymetr na sekundę (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1463 Centymetr na sekundę <-- Prędkość dryfu inwersji

(Obliczenie zakończone za 00.005 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Wzmocnienie kanału P » Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności

Kredyty

Stworzone przez Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR INSTYTUT TECHNOLOGII (GTBIT), NOWE DELHI

Aman Dhussawat utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< Wzmocnienie kanału P Kalkulatory

Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS

LaTeX Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*((Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))*Napięcie między drenem a źródłem-1/2*(Napięcie między drenem a źródłem)^2)

Prąd drenażowy w regionie triody tranzystora PMOS, biorąc pod uwagę Vsd

LaTeX Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(modulus(Efektywne napięcie)-1/2*Napięcie między drenem a źródłem)*Napięcie między drenem a źródłem

Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS

LaTeX Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2

Prąd odpływowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS podanego Vov

LaTeX Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Efektywne napięcie)^2

Zobacz więcej >>