Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS Kalkulator

Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)
I_d = k'_n*W_c/L*((V_gs-V_T)*V_ds-1/2*(V_ds)^2)
Ta formuła używa 7 Zmienne
Prąd spustowy w NMOS - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu w NMOS to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).
Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS - (Mierzone w Siemens) - Parametr transkonduktancji procesu w NMOS (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.
Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału odnosi się do wielkości pasma dostępnego do przesyłania danych w kanale komunikacyjnym.
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału można zdefiniować jako odległość między jego punktem początkowym a końcowym i może się znacznie różnić w zależności od jego przeznaczenia i lokalizacji.
Napięcie źródła bramki - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła bramki to napięcie, które spada na końcówkę bramki-źródło tranzystora.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.
Napięcie źródła drenażu - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła drenu to termin elektryczny używany w elektronice, a zwłaszcza w tranzystorach polowych. Odnosi się do różnicy napięcia między zaciskami drenu i źródła FET.

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)