Prąd wchodzący do źródła drenu na granicy obszaru nasycenia i triody NMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła drenażu)^2
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vds)^2
Ta formuła używa 5 Zmienne
Używane zmienne
Prąd spustowy w NMOS - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu w NMOS to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).
Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS - (Mierzone w Siemens) - Parametr transkonduktancji procesu w NMOS (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.
Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału odnosi się do wielkości pasma dostępnego do przesyłania danych w kanale komunikacyjnym.
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału można zdefiniować jako odległość między jego punktem początkowym a końcowym i może się znacznie różnić w zależności od jego przeznaczenia i lokalizacji.
Napięcie źródła drenażu - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła drenu to termin elektryczny używany w elektronice, a zwłaszcza w tranzystorach polowych. Odnosi się do różnicy napięcia między zaciskami drenu i źródła FET.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Szerokość kanału: 10 Mikrometr --> 1E-05 Metr (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Długość kanału: 3 Mikrometr --> 3E-06 Metr (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Napięcie źródła drenażu: 8.43 Wolt --> 8.43 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vds)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.43)^2
Ocenianie ... ...
Id = 0.236883
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.236883 Amper -->236.883 Miliamper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
236.883 Miliamper <-- Prąd spustowy w NMOS
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

Ulepszenie kanału N Kalkulatory

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)
Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*Napięcie źródła drenażu^2)
NMOS jako rezystancja liniowa
​ LaTeX ​ Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia))
Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału

Prąd wchodzący do źródła drenu na granicy obszaru nasycenia i triody NMOS Formułę

​LaTeX ​Iść
Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła drenażu)^2
Id = 1/2*k'n*Wc/L*(Vds)^2

Co to jest NMOS?

NMOS (MOSFET) to rodzaj MOSFET-u. Tranzystor NMOS składa się ze źródła i drenu typu n oraz podłoża typu p. Po przyłożeniu napięcia do bramki otwory w korpusie (podłoże typu p) są usuwane z bramki. Pozwala to na utworzenie kanału typu n między źródłem a drenem, a prąd jest prowadzony od elektronów ze źródła do drenu przez indukowany kanał typu n. Mówi się, że bramki logiczne i inne urządzenia cyfrowe zaimplementowane przy użyciu NMOS mają logikę NMOS. Istnieją trzy tryby pracy w NMOS zwane odcięciem, triodą i nasyceniem. Logika NMOS jest łatwa do zaprojektowania i wyprodukowania. Jednak obwody z bramkami logicznymi NMOS zużywają moc statyczną, gdy obwód jest bezczynny, ponieważ prąd stały przepływa przez bramkę logiczną, gdy wyjście jest niskie.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!