Częstotliwość krytyczna w obwodzie wejściowym RC wysokiej częstotliwości Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*Rezystancja wejściowa*Pojemność Millera)
fc = 1/(2*pi*Rin*Cin)
Ta formuła używa 1 Stałe, 3 Zmienne
Używane stałe
pi - Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288
Używane zmienne
Częstotliwość narożna - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość narożna obwodu to częstotliwość, przy której wzmocnienie obwodu zaczyna znacząco spadać.
Rezystancja wejściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wejściowa jest przeciwieństwem przepływu prądu w obwodzie elektrycznym. Mierzy się go w omach (Ω). Im wyższy opór, tym większy opór dla przepływu prądu.
Pojemność Millera - (Mierzone w Farad) - Pojemność Millera to równoważna pojemność wejściowa wzmacniacza MOSFET wynikająca z efektu Millera.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Rezystancja wejściowa: 200 Om --> 200 Om Nie jest wymagana konwersja
Pojemność Millera: 7.18 Mikrofarad --> 7.18E-06 Farad (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
fc = 1/(2*pi*Rin*Cin) --> 1/(2*pi*200*7.18E-06)
Ocenianie ... ...
fc = 110.832133072351
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
110.832133072351 Herc --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
110.832133072351 110.8321 Herc <-- Częstotliwość narożna
(Obliczenie zakończone za 00.008 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Suma Madhuri
Uniwersytet VIT (WIT), Chennai
Suma Madhuri utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Parminder Singh
Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab
Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości Kalkulatory

Częstotliwość przejścia MOSFET
​ LaTeX ​ Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET
​ LaTeX ​ Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)
Całkowita pojemność między bramką a kanałem tranzystorów MOSFET
​ LaTeX ​ Iść Pojemność kanału bramkowego = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału
Pokrywająca się pojemność MOSFET-u
​ LaTeX ​ Iść Pojemność nakładania się = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki

Częstotliwość krytyczna w obwodzie wejściowym RC wysokiej częstotliwości Formułę

​LaTeX ​Iść
Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*Rezystancja wejściowa*Pojemność Millera)
fc = 1/(2*pi*Rin*Cin)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!