Krytyczne pole elektryczne Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Krytyczne pole elektryczne = (2*Nasycenie prędkością)/Mobilność elektronu
Ec = (2*Vsat)/µe
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Krytyczne pole elektryczne - (Mierzone w Wolt na metr) - Krytyczne pole elektryczne definiuje się jako siłę elektryczną na jednostkę ładunku.
Nasycenie prędkością - (Mierzone w Metr na sekundę) - prędkość Nasycenie to zjawisko, w którym nośniki zbliżają się do maksymalnej prędkości w stosunku do prędkości sat, gdy stosowane są duże pola.
Mobilność elektronu - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność elektronu definiuje się jako wielkość średniej prędkości dryfu na jednostkę pola elektrycznego.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Nasycenie prędkością: 10.12 Milimetr/Sekunda --> 0.01012 Metr na sekundę (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Mobilność elektronu: 49.8 Centymetr kwadratowy na wolt-sekundę --> 0.00498 Metr kwadratowy na wolt na sekundę (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Ec = (2*Vsat)/µe --> (2*0.01012)/0.00498
Ocenianie ... ...
Ec = 4.06425702811245
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
4.06425702811245 Wolt na metr -->0.00406425702811245 Wolt na milimetr (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.00406425702811245 0.004064 Wolt na milimetr <-- Krytyczne pole elektryczne
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

Charakterystyka obwodu CMOS Kalkulatory

Średnia wolna ścieżka CMOS
​ LaTeX ​ Iść Średnia darmowa ścieżka = Krytyczne napięcie w CMOS/Krytyczne pole elektryczne
Krytyczne napięcie CMOS
​ LaTeX ​ Iść Krytyczne napięcie w CMOS = Krytyczne pole elektryczne*Średnia darmowa ścieżka
Szerokość dyfuzji źródła
​ LaTeX ​ Iść Szerokość przejścia = Obszar dyfuzji źródła/Długość źródła
Obszar dyfuzji źródła
​ LaTeX ​ Iść Obszar dyfuzji źródła = Długość źródła*Szerokość przejścia

Krytyczne pole elektryczne Formułę

​LaTeX ​Iść
Krytyczne pole elektryczne = (2*Nasycenie prędkością)/Mobilność elektronu
Ec = (2*Vsat)/µe

Co to jest nasycenie prędkości?

Nasycenie prędkości to maksymalna prędkość, jaką nośnik ładunku w półprzewodniku, generalnie elektronie, osiąga w obecności bardzo silnych pól elektrycznych. Kiedy tak się dzieje, mówi się, że półprzewodnik znajduje się w stanie nasycenia prędkościowego.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!