Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Odwrócona procentowa
Ułamek prosty
Kalkulator NWD
Częstotliwość krytyczna w obwodzie wejściowym RC wysokiej częstotliwości Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Więcej >>
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Więcej >>
⤿
Elektronika analogowa
Antena i propagacja fal
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Więcej >>
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości
Aktualny
Analiza małych sygnałów
Charakterystyka MOSFET-u
Więcej >>
✖
Rezystancja wejściowa jest przeciwieństwem przepływu prądu w obwodzie elektrycznym. Mierzy się go w omach (Ω). Im wyższy opór, tym większy opór dla przepływu prądu.
ⓘ
Rezystancja wejściowa [R
in
]
Kilohm
Megaom
Mikroom
Miliohm
Om
Wolt na Amper
+10%
-10%
✖
Pojemność Millera to równoważna pojemność wejściowa wzmacniacza MOSFET wynikająca z efektu Millera.
ⓘ
Pojemność Millera [C
in
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Mikrofarad
Milifarad
Nanofarad
Picofarad
+10%
-10%
✖
Częstotliwość narożna obwodu to częstotliwość, przy której wzmocnienie obwodu zaczyna znacząco spadać.
ⓘ
Częstotliwość krytyczna w obwodzie wejściowym RC wysokiej częstotliwości [f
c
]
Bity / minuta
Cykl/Sekunda
Frames za Sekunda
Gigaherc
Hektoherc
Herc
Kiloherc
Megaherc
Petaherc
Picoherc
Rewolucja na godzinę
Obrotów na minutę
Rewolucja na sekundę
Teraherc
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Częstotliwość krytyczna w obwodzie wejściowym RC wysokiej częstotliwości
Formuła
f
c
=
1
2
⋅
π
⋅
R
in
⋅
C
in
Przykład
110.8321 Hz
=
1
2
⋅
π
⋅
200 Ω
⋅
7.18 μF
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać MOSFET Formułę PDF
Częstotliwość krytyczna w obwodzie wejściowym RC wysokiej częstotliwości Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Częstotliwość narożna
= 1/(2*
pi
*
Rezystancja wejściowa
*
Pojemność Millera
)
f
c
= 1/(2*
pi
*
R
in
*
C
in
)
Ta formuła używa
1
Stałe
,
3
Zmienne
Używane stałe
pi
- Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288
Używane zmienne
Częstotliwość narożna
-
(Mierzone w Herc)
- Częstotliwość narożna obwodu to częstotliwość, przy której wzmocnienie obwodu zaczyna znacząco spadać.
Rezystancja wejściowa
-
(Mierzone w Om)
- Rezystancja wejściowa jest przeciwieństwem przepływu prądu w obwodzie elektrycznym. Mierzy się go w omach (Ω). Im wyższy opór, tym większy opór dla przepływu prądu.
Pojemność Millera
-
(Mierzone w Farad)
- Pojemność Millera to równoważna pojemność wejściowa wzmacniacza MOSFET wynikająca z efektu Millera.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Rezystancja wejściowa:
200 Om --> 200 Om Nie jest wymagana konwersja
Pojemność Millera:
7.18 Mikrofarad --> 7.18E-06 Farad
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
f
c
= 1/(2*pi*R
in
*C
in
) -->
1/(2*
pi
*200*7.18E-06)
Ocenianie ... ...
f
c
= 110.832133072351
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
110.832133072351 Herc --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
110.832133072351
≈
110.8321 Herc
<--
Częstotliwość narożna
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
MOSFET
»
Elektronika analogowa
»
Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości
»
Częstotliwość krytyczna w obwodzie wejściowym RC wysokiej częstotliwości
Kredyty
Stworzone przez
Suma Madhuri
Uniwersytet VIT
(WIT)
,
Chennai
Suma Madhuri utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Parminder Singh
Uniwersytet Chandigarh
(CU)
,
Pendżab
Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!
<
Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości Kalkulatory
Częstotliwość przejścia MOSFET
Iść
Częstotliwość przejścia
=
Transkonduktancja
/(2*
pi
*(
Pojemność bramki źródłowej
+
Pojemność bramowo-drenowa
))
Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET
Iść
Szerokość kanału
=
Pojemność nakładania się
/(
Pojemność tlenkowa
*
Długość zakładki
)
Całkowita pojemność między bramką a kanałem tranzystorów MOSFET
Iść
Pojemność kanału bramkowego
=
Pojemność tlenkowa
*
Szerokość kanału
*
Długość kanału
Pokrywająca się pojemność MOSFET-u
Iść
Pojemność nakładania się
=
Szerokość kanału
*
Pojemność tlenkowa
*
Długość zakładki
Zobacz więcej >>
Częstotliwość krytyczna w obwodzie wejściowym RC wysokiej częstotliwości Formułę
Częstotliwość narożna
= 1/(2*
pi
*
Rezystancja wejściowa
*
Pojemność Millera
)
f
c
= 1/(2*
pi
*
R
in
*
C
in
)
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!