Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N Kalkulator

✖Stężenie donorowe to stężenie elektronów w stanie donorowym.ⓘ Koncentracja dawców [N_d]			+10% -10%
✖Ruchliwość elektronu jest definiowana jako wielkość średniej prędkości dryfu na jednostkę pola elektrycznego.ⓘ Ruchliwość elektronów [μ_n]			+10% -10%

✖Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) jest miarą łatwości, z jaką ładunek elektryczny lub ciepło może przechodzić przez zewnętrzny materiał półprzewodnikowy typu n.ⓘ Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N [σ_n]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka półprzewodników Formuły PDF PDF Image

Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) = Koncentracja dawców*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n
Ta formuła używa 1 Stałe, 3 Zmienne

Używane stałe

[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19

Używane zmienne

Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) - (Mierzone w Siemens/Metr) - Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) jest miarą łatwości, z jaką ładunek elektryczny lub ciepło może przechodzić przez zewnętrzny materiał półprzewodnikowy typu n.
Koncentracja dawców - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie donorowe to stężenie elektronów w stanie donorowym.
Ruchliwość elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość elektronu jest definiowana jako wielkość średniej prędkości dryfu na jednostkę pola elektrycznego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Koncentracja dawców: 2E+17 1 na metr sześcienny --> 2E+17 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Ruchliwość elektronów: 180 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 180 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n --> 2E+17*[Charge-e]*180

Ocenianie ... ...

σ_n = 5.767835832

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

5.767835832 Siemens/Metr --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

5.767835832 ≈ 5.767836 Siemens/Metr <-- Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n)

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » EDC » Charakterystyka półprzewodników » Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N

Kredyty

Stworzone przez Akshada Kulkarni

Narodowy Instytut Informatyki (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni utworzył ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indie

Team Softusvista zweryfikował ten kalkulator i 1100+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka półprzewodników Kalkulatory

Przewodnictwo w półprzewodnikach

LaTeX Iść Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)

Długość dyfuzji elektronów

LaTeX Iść Długość dyfuzji elektronów = sqrt(Stała dyfuzji elektronów*Dożywotni przewoźnik mniejszościowy)

Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników

LaTeX Iść Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego = (Energia pasma przewodnictwa+Energia pasma Valance'a)/2

Mobilność nośników ładunku

LaTeX Iść Mobilność przewoźników ładunków = Prędkość dryfu/Intensywność pola elektrycznego

Zobacz więcej >>

Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N Formułę

LaTeX Iść

Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) = Koncentracja dawców*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n

Co to są zewnętrzne półprzewodniki?

Zewnętrzne półprzewodniki to po prostu wewnętrzne półprzewodniki, które zostały domieszkowane atomami zanieczyszczeń (w tym przypadku jednowymiarowe defekty substytucyjne). Domieszkowanie to proces, w którym półprzewodniki zwiększają swoje przewodnictwo elektryczne poprzez wprowadzanie do sieci atomów różnych pierwiastków.

Co to jest zewnętrzny półprzewodnik typu n?

Półprzewodnik typu n powstaje, gdy czyste półprzewodniki, takie jak Si i Ge, są domieszkowane pierwiastkami pięciowartościowymi. gdy półprzewodnik jest domieszkowany pięciowartościowym atomem, elektronami są większość nośników ładunku. Z drugiej strony dziury są nośnikami ładunków mniejszościowych. Dlatego takie zewnętrzne półprzewodniki nazywane są półprzewodnikami typu n. W półprzewodniku typu n Liczba wolnych elektronów >> Liczba dziur

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!