Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P Kalkulator

✖Koncentracja akceptora to koncentracja dziur w stanie akceptora.ⓘ Koncentracja akceptora [N_a]			+10% -10%
✖Ruchliwość dziur to zdolność dziury do poruszania się w metalu lub półprzewodniku w obecności przyłożonego pola elektrycznego.ⓘ Ruchliwość otworów [μ_p]			+10% -10%

✖Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) jest miarą łatwości, z jaką ładunek elektryczny lub ciepło może przechodzić przez zewnętrzny materiał półprzewodnikowy typu p.ⓘ Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P [σ_p]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P

Formuła

σ p = N a \cdot [Charge-e] \cdot μ p

Przykład

0.240326 S/m = 1e16 /m³ \cdot [Charge-e] \cdot 150 m²/V*s

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka półprzewodników Formuły PDF PDF Image

Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) = Koncentracja akceptora*[Charge-e]*Ruchliwość otworów
σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p
Ta formuła używa 1 Stałe, 3 Zmienne

Używane stałe

[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19

Używane zmienne

Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) - (Mierzone w Siemens/Metr) - Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) jest miarą łatwości, z jaką ładunek elektryczny lub ciepło może przechodzić przez zewnętrzny materiał półprzewodnikowy typu p.
Koncentracja akceptora - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja akceptora to koncentracja dziur w stanie akceptora.
Ruchliwość otworów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość dziur to zdolność dziury do poruszania się w metalu lub półprzewodniku w obecności przyłożonego pola elektrycznego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Koncentracja akceptora: 1E+16 1 na metr sześcienny --> 1E+16 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Ruchliwość otworów: 150 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 150 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p --> 1E+16*[Charge-e]*150

Ocenianie ... ...

σ_p = 0.240326493

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.240326493 Siemens/Metr --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.240326493 ≈ 0.240326 Siemens/Metr <-- Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p)

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » EDC » Charakterystyka półprzewodników » Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka półprzewodników Kalkulatory

Przewodnictwo w półprzewodnikach

Iść Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)

Długość dyfuzji elektronów

Iść Długość dyfuzji elektronów = sqrt(Stała dyfuzji elektronów*Dożywotni przewoźnik mniejszościowy)

Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników

Iść Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego = (Energia pasma przewodnictwa+Energia pasma Valance'a)/2

Mobilność nośników ładunku

Iść Mobilność przewoźników ładunków = Prędkość dryfu/Intensywność pola elektrycznego

Zobacz więcej >>

Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P Formułę

Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) = Koncentracja akceptora*[Charge-e]*Ruchliwość otworów
σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p

Wyjaśnij przewodnictwo w półprzewodnikach.

Półprzewodniki są pół-dobrymi przewodnikami elektrycznymi, ponieważ chociaż ich pasmo walencyjne jest całkowicie wypełnione, przerwa energetyczna między pasmem walencyjnym a pasmem przewodnictwa nie jest zbyt duża. Dlatego niektóre elektrony mogą mostkować go, aby stać się nośnikiem ładunku. Różnica między półprzewodnikami a izolatorem to wielkość luki energetycznej. Dla półprzewodników Eg <2eV i dla izolatorów Eg> 2eV Dobrze nam wiadomo, że przewodnictwo półprzewodnika zależy od stężenia w nim wolnych elektronów

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!