Przewodnictwo w półprzewodnikach Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)
σ = (ρe*[Charge-e]*μn)+(ρh*[Charge-e]*μp)
Ta formuła używa 1 Stałe, 5 Zmienne
Używane stałe
[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
Używane zmienne
Przewodność - (Mierzone w Siemens/Metr) - Przewodność jest miarą łatwości, z jaką ładunek elektryczny lub ciepło może przechodzić przez materiał. Jest to odwrotność rezystywności.
Gęstość elektronów - (Mierzone w Kilogram na metr sześcienny) - Gęstość elektronów odnosi się do miary liczby elektronów obecnych w danej ilości materiału.
Ruchliwość elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość elektronu jest definiowana jako wielkość średniej prędkości dryfu na jednostkę pola elektrycznego.
Gęstość otworów - (Mierzone w Kilogram na metr sześcienny) - Gęstość dziur odnosi się do liczby wolnych stanów energetycznych (znanych jako „dziury”), które mogą istnieć w paśmie walencyjnym materiału półprzewodnikowego.
Ruchliwość otworów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość dziur to zdolność dziury do poruszania się w metalu lub półprzewodniku w obecności przyłożonego pola elektrycznego.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Gęstość elektronów: 30100000000 Kilogram na centymetr sześcienny --> 3.01E+16 Kilogram na metr sześcienny (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Ruchliwość elektronów: 180 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 180 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Gęstość otworów: 100000.345 Kilogram na centymetr sześcienny --> 100000345000 Kilogram na metr sześcienny (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Ruchliwość otworów: 150 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 150 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
σ = (ρe*[Charge-e]*μn)+(ρh*[Charge-e]*μp) --> (3.01E+16*[Charge-e]*180)+(100000345000*[Charge-e]*150)
Ocenianie ... ...
σ = 0.868061695989221
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.868061695989221 Siemens/Metr --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.868061695989221 0.868062 Siemens/Metr <-- Przewodność
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Akshada Kulkarni
Narodowy Instytut Informatyki (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni utworzył ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Team Softusvista
Softusvista Office (Pune), Indie
Team Softusvista zweryfikował ten kalkulator i 1100+ więcej kalkulatorów!

Charakterystyka półprzewodników Kalkulatory

Przewodnictwo w półprzewodnikach
​ LaTeX ​ Iść Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)
Długość dyfuzji elektronów
​ LaTeX ​ Iść Długość dyfuzji elektronów = sqrt(Stała dyfuzji elektronów*Dożywotni przewoźnik mniejszościowy)
Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników
​ LaTeX ​ Iść Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego = (Energia pasma przewodnictwa+Energia pasma Valance'a)/2
Mobilność nośników ładunku
​ LaTeX ​ Iść Mobilność przewoźników ładunków = Prędkość dryfu/Intensywność pola elektrycznego

Przewodnictwo w półprzewodnikach Formułę

​LaTeX ​Iść
Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)
σ = (ρe*[Charge-e]*μn)+(ρh*[Charge-e]*μp)

Co to jest przewodnictwo w półprzewodnikach?

Przewodnictwo jest wprost proporcjonalne do ruchliwości. Jeśli w półprzewodniku obecne są zarówno zanieczyszczenia donorowe, jak i akceptorowe, możemy powiedzieć, że przewodnictwo całkowite wynika z przewodnictwa zarówno elektronów, jak i dziur w półprzewodniku.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!