✖Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału odnosi się do zdolności elektronów do poruszania się lub przemieszczania się po powierzchni materiału półprzewodnikowego, takiego jak kanał krzemowy w tranzystorze.ⓘ Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału [μs] | | | +10% -10% |
✖Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak prędkość i pobór mocy układów scalonych.ⓘ Pojemność tlenkowa [Cox] | | | +10% -10% |
✖Szerokość kanału odnosi się do zakresu częstotliwości używanych do przesyłania danych w kanale komunikacji bezprzewodowej. Jest ona również nazywana szerokością pasma i jest mierzona w hercach (Hz).ⓘ Szerokość kanału [Wc] | | | +10% -10% |
✖Długość kanału odnosi się do odległości między zaciskami źródła i drenu w tranzystorze polowym (FET).ⓘ Długość kanału [L] | | | +10% -10% |
✖Napięcie na tlenku spowodowane ładunkiem na granicy faz tlenek-półprzewodnik, a trzeci człon wynika z gęstości ładunku w tlenku.ⓘ Napięcie na tlenku [Vox] | | | +10% -10% |