Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła Kalkulator

✖Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału odnosi się do zdolności elektronów do poruszania się lub przemieszczania się po powierzchni materiału półprzewodnikowego, takiego jak kanał krzemowy w tranzystorze.ⓘ Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału [μ_s]			+10% -10%
✖Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak prędkość i pobór mocy układów scalonych.ⓘ Pojemność tlenkowa [C_ox]			+10% -10%
✖Szerokość kanału odnosi się do zakresu częstotliwości używanych do przesyłania danych w kanale komunikacji bezprzewodowej. Jest ona również nazywana szerokością pasma i jest mierzona w hercach (Hz).ⓘ Szerokość kanału [W_c]			+10% -10%
✖Długość kanału odnosi się do odległości między zaciskami źródła i drenu w tranzystorze polowym (FET).ⓘ Długość kanału [L]			+10% -10%
✖Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.ⓘ Napięcie bramka-źródło [V_gs]			+10% -10%
✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [V_th]			+10% -10%

✖Przewodność kanału jest zwykle definiowana jako stosunek prądu przepływającego przez kanał do napięcia na nim.ⓘ Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła [G]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Formuła

G = μ s \cdot C ox \cdot \frac{W c}{L} \cdot (V gs - V th)

Przykład

6.0724 mS = 38 m²/V*s \cdot 940 μF \cdot \frac{10 μm}{100 μm} \cdot (4 V - 2.3 V)

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)
G = μ_s*C_ox*W_c/L*(V_gs-V_th)
Ta formuła używa 7 Zmienne

Używane zmienne

Przewodnictwo kanału - (Mierzone w Siemens) - Przewodność kanału jest zwykle definiowana jako stosunek prądu przepływającego przez kanał do napięcia na nim.
Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału odnosi się do zdolności elektronów do poruszania się lub przemieszczania się po powierzchni materiału półprzewodnikowego, takiego jak kanał krzemowy w tranzystorze.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak prędkość i pobór mocy układów scalonych.
Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału odnosi się do zakresu częstotliwości używanych do przesyłania danych w kanale komunikacji bezprzewodowej. Jest ona również nazywana szerokością pasma i jest mierzona w hercach (Hz).
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału odnosi się do odległości między zaciskami źródła i drenu w tranzystorze polowym (FET).
Napięcie bramka-źródło - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału: 38 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 38 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pojemność tlenkowa: 940 Mikrofarad --> 0.00094 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Szerokość kanału: 10 Mikrometr --> 1E-05 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość kanału: 100 Mikrometr --> 0.0001 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie bramka-źródło: 4 Wolt --> 4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 2.3 Wolt --> 2.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

G = μ_s*C_ox*W_c/L*(V_gs-V_th) --> 38*0.00094*1E-05/0.0001*(4-2.3)

Ocenianie ... ...

G = 0.0060724

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0060724 Siemens -->6.0724 Millisiemens (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

6.0724 Millisiemens <-- Przewodnictwo kanału

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Napięcie » Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Napięcie Kalkulatory

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa))

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa/((1/Transkonduktancja)+2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Zobacz więcej >>

< Charakterystyka MOSFET-u Kalkulatory

Wzmocnienie napięcia przy danej rezystancji obciążenia MOSFET

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*(1/(1/Odporność na obciążenie+1/Rezystancja wyjściowa))/(1+Transkonduktancja*Opór źródła)

Maksymalne wzmocnienie napięcia w punkcie polaryzacji

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = 2*(Napięcie zasilania-Efektywne napięcie)/(Efektywne napięcie)

Wzmocnienie napięcia przy danym napięciu drenu

Iść Wzmocnienie napięcia = (Prąd spustowy*Odporność na obciążenie*2)/Efektywne napięcie

Maksymalne wzmocnienie napięcia przy wszystkich napięciach

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = (Napięcie zasilania-0.3)/Napięcie termiczne

Zobacz więcej >>

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła Formułę

Jakie są zastosowania przewodnictwa w MOSFET-ach?

Zastosowania przewodności w tranzystorach MOSFET są szerokie i zróżnicowane. Należą do nich wzmacniacze wysokiej częstotliwości, przełączniki, regulatory napięcia, oscylatory i cyfrowe obwody logiczne. Przewodnictwo odgrywa również kluczową rolę w zdolności tranzystorów MOSFET do kontrolowania przepływu prądu i manipulowania polaryzacją sygnału, co czyni je niezbędnym elementem nowoczesnych systemów elektronicznych.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!