NWD dwóch liczby

Koncentracja w paśmie przewodnictwa Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Urządzenia półprzewodnikowe Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Pasmo energii i nośnik ładunku Elektrony i dziury Nośniki półprzewodnikowe Złącze SSD

✖Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa definiowana jest jako liczba równoważnych minimów energii w paśmie przewodnictwa.ⓘ Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa [N_c]			+10% -10%
✖Funkcja Fermiego jest zdefiniowana jako termin używany do opisania szczytu zbioru poziomów energii elektronów w temperaturze zera absolutnego.ⓘ Funkcja Fermiego [f_E]			+10% -10%

✖Stężenie elektronów w paśmie przewodnictwa odnosi się do ilości lub obfitości wolnych elektronów dostępnych do przewodzenia w paśmie przewodnictwa materiału półprzewodnikowego.ⓘ Koncentracja w paśmie przewodnictwa [n₀]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Pasmo energii i nośnik ładunku Formuły PDF PDF Image

Koncentracja w paśmie przewodnictwa Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa = Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa*Funkcja Fermiego
n₀ = N_c*f_E
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie elektronów w paśmie przewodnictwa odnosi się do ilości lub obfitości wolnych elektronów dostępnych do przewodzenia w paśmie przewodnictwa materiału półprzewodnikowego.
Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa definiowana jest jako liczba równoważnych minimów energii w paśmie przewodnictwa.
Funkcja Fermiego - Funkcja Fermiego jest zdefiniowana jako termin używany do opisania szczytu zbioru poziomów energii elektronów w temperaturze zera absolutnego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa: 640000000 1 na metr sześcienny --> 640000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Funkcja Fermiego: 0.022 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

n₀ = N_c*f_E --> 640000000*0.022

Ocenianie ... ...

n₀ = 14080000

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

14080000 1 na metr sześcienny --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

14080000 ≈ 1.4E+7 1 na metr sześcienny <-- Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa

(Obliczenie zakończone za 00.009 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Urządzenia półprzewodnikowe » Pasmo energii i nośnik ładunku » Koncentracja w paśmie przewodnictwa

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Pasmo energii i nośnik ładunku Kalkulatory

Energia elektronu przy danej stałej Coulomba

LaTeX Iść Energia elektronu = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potencjalna długość studni^2)

Koncentracja elektronów w stanie ustalonym

LaTeX Iść Stężenie nośników w stanie stacjonarnym = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa+Nadmierne stężenie nośnika

Energia pasma walencyjnego

LaTeX Iść Energia pasma walencyjnego = Energia pasma przewodnictwa-Przerwa energetyczna

Przerwa energetyczna

LaTeX Iść Przerwa energetyczna = Energia pasma przewodnictwa-Energia pasma walencyjnego

Zobacz więcej >>

Koncentracja w paśmie przewodnictwa Formułę

LaTeX Iść

Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa = Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa*Funkcja Fermiego
n₀ = N_c*f_E

Czy stężenie elektronów jest równe stężeniu dziur w tym samoistnym krzemie?

W półprzewodniku samoistnym liczba elektronów generowanych w paśmie przewodnictwa jest równa liczbie dziur generowanych w paśmie walencyjnym. Stąd stężenie nośnika elektronów jest równe stężeniu nośnika dziur.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!