Kalkulator NWD

Rezystancja kanału Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Układy scalone (IC)Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Produkcja układów scalonych MOS Produkcja bipolarnych układów scalonych Wyzwalacz Schmitta

✖Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.ⓘ Długość tranzystora [L_t]			+10% -10%
✖Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.ⓘ Szerokość tranzystora [W_t]			+10% -10%
✖Mobilność elektronów opisuje, jak szybko elektrony mogą przemieszczać się przez materiał w odpowiedzi na pole elektryczne.ⓘ Mobilność elektronów [μ_n]			+10% -10%
✖Gęstość nośnika odnosi się do liczby nośników ładunku (elektronów lub dziur) obecnych w kanale półprzewodnikowym.ⓘ Gęstość nośnika [Q_on]			+10% -10%

✖Rezystancja kanału odnosi się do rezystancji oferowanej przez materiał półprzewodnikowy w kanale, przez który przepływa prąd pomiędzy zaciskami źródła i drenu.ⓘ Rezystancja kanału [R_ch]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Produkcja układów scalonych MOS Formuły PDF PDF Image

Rezystancja kanału Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Rezystancja kanału - (Mierzone w Om) - Rezystancja kanału odnosi się do rezystancji oferowanej przez materiał półprzewodnikowy w kanale, przez który przepływa prąd pomiędzy zaciskami źródła i drenu.
Długość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Szerokość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Mobilność elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność elektronów opisuje, jak szybko elektrony mogą przemieszczać się przez materiał w odpowiedzi na pole elektryczne.
Gęstość nośnika - (Mierzone w Elektrony na metr sześcienny) - Gęstość nośnika odnosi się do liczby nośników ładunku (elektronów lub dziur) obecnych w kanale półprzewodnikowym.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Długość tranzystora: 3.2 Mikrometr --> 3.2E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Szerokość tranzystora: 5.5 Mikrometr --> 5.5E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Mobilność elektronów: 30 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 30 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Gęstość nośnika: 0.0056 Elektrony na metr sześcienny --> 0.0056 Elektrony na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)

Ocenianie ... ...

R_ch = 3.46320346320346

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

3.46320346320346 Om --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

3.46320346320346 ≈ 3.463203 Om <-- Rezystancja kanału

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja układów scalonych MOS » Rezystancja kanału

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Efekt ciała w MOSFET-ie

LaTeX Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

LaTeX Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)

Rezystancja kanału

LaTeX Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

LaTeX Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Zobacz więcej >>