NWW trzy liczby

Carrier Lifetime Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Urządzenia półprzewodnikowe Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Pasmo energii i nośnik ładunku Elektrony i dziury Nośniki półprzewodnikowe Złącze SSD

✖Proporcjonalność dla rekombinacji jest oznaczona symbolem αr.ⓘ Proporcjonalność dla rekombinacji [α_r]			+10% -10%
✖Koncentracja dziur w paśmie walencyjnym odnosi się do ilości lub obfitości dziur obecnych w paśmie walencyjnym materiału półprzewodnikowego.ⓘ Koncentracja dziur w paśmie Valance'a [p₀]			+10% -10%
✖Stężenie elektronów w paśmie przewodnictwa odnosi się do ilości lub obfitości wolnych elektronów dostępnych do przewodzenia w paśmie przewodnictwa materiału półprzewodnikowego.ⓘ Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa [n₀]			+10% -10%

✖Czas życia przewoźnika definiuje się jako średni czas potrzebny na rekombinację nosiciela mniejszościowego.ⓘ Carrier Lifetime [T_a]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Pasmo energii i nośnik ładunku Formuły PDF PDF Image

Carrier Lifetime Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))
T_a = 1/(α_r*(p₀+n₀))
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Żywotność przewoźnika - (Mierzone w Drugi) - Czas życia przewoźnika definiuje się jako średni czas potrzebny na rekombinację nosiciela mniejszościowego.
Proporcjonalność dla rekombinacji - (Mierzone w Metr sześcienny na sekundę) - Proporcjonalność dla rekombinacji jest oznaczona symbolem αr.
Koncentracja dziur w paśmie Valance'a - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja dziur w paśmie walencyjnym odnosi się do ilości lub obfitości dziur obecnych w paśmie walencyjnym materiału półprzewodnikowego.
Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie elektronów w paśmie przewodnictwa odnosi się do ilości lub obfitości wolnych elektronów dostępnych do przewodzenia w paśmie przewodnictwa materiału półprzewodnikowego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Proporcjonalność dla rekombinacji: 1.2E-06 Metr sześcienny na sekundę --> 1.2E-06 Metr sześcienny na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Koncentracja dziur w paśmie Valance'a: 230000000000 1 na metr sześcienny --> 230000000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa: 14000000 1 na metr sześcienny --> 14000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

T_a = 1/(α_r*(p₀+n₀)) --> 1/(1.2E-06*(230000000000+14000000))

Ocenianie ... ...

T_a = 3.62296787731761E-06

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

3.62296787731761E-06 Drugi --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

3.62296787731761E-06 ≈ 3.6E-6 Drugi <-- Żywotność przewoźnika

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Urządzenia półprzewodnikowe » Pasmo energii i nośnik ładunku » Carrier Lifetime

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Pasmo energii i nośnik ładunku Kalkulatory

Energia elektronu przy danej stałej Coulomba

LaTeX Iść Energia elektronu = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potencjalna długość studni^2)

Koncentracja elektronów w stanie ustalonym

LaTeX Iść Stężenie nośników w stanie stacjonarnym = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa+Nadmierne stężenie nośnika

Energia pasma walencyjnego

LaTeX Iść Energia pasma walencyjnego = Energia pasma przewodnictwa-Przerwa energetyczna

Przerwa energetyczna

LaTeX Iść Przerwa energetyczna = Energia pasma przewodnictwa-Energia pasma walencyjnego

Zobacz więcej >>

< Nośniki półprzewodnikowe Kalkulatory

Funkcja Fermiego

LaTeX Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa

Współczynnik dystrybucji

LaTeX Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy

Energia pasma przewodnictwa

LaTeX Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego

Energia fotoelektronów

LaTeX Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

Zobacz więcej >>

Carrier Lifetime Formułę

LaTeX Iść

Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))
T_a = 1/(α_r*(p₀+n₀))

Jak mierzysz żywotność przewoźnika?

Tradycyjnie bezpośrednie pomiary elektryczne czasów życia nośników mniejszościowych są wykonywane przy użyciu pomiarów prądu stałego (DC) zaniku fotoprzewodzącego (PCD), podczas gdy nieinwazyjne, bezkontaktowe pomiary czasu życia są wykonywane przy użyciu współczynnika odbicia mikrofalowego z rozdzielczością czasową (TMR) lub rozdzielczości czasowej fotoluminescencja (TRPL).

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!