Pojemność Onpath Kalkulator

✖Całkowita pojemność stopnia jest definiowana jako całkowita pojemność stopnia włączania i wyłączania.ⓘ Całkowita pojemność na etapie [C_t]			+10% -10%
✖Pojemność poza ścieżką jest definiowana jako pojemność pojemności poza ścieżką bramki logicznej.ⓘ Offpath pojemności [C_offpath]			+10% -10%

✖Pojemność na ścieżce definiuje się jako pojemność wzdłuż ścieżki analizy.ⓘ Pojemność Onpath [C_onpath]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka projektu CMOS Formuły PDF PDF Image

Pojemność Onpath Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Ścieżka pojemnościowa = Całkowita pojemność na etapie-Offpath pojemności
C_onpath = C_t-C_offpath
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Ścieżka pojemnościowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność na ścieżce definiuje się jako pojemność wzdłuż ścieżki analizy.
Całkowita pojemność na etapie - (Mierzone w Farad) - Całkowita pojemność stopnia jest definiowana jako całkowita pojemność stopnia włączania i wyłączania.
Offpath pojemności - (Mierzone w Farad) - Pojemność poza ścieżką jest definiowana jako pojemność pojemności poza ścieżką bramki logicznej.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Całkowita pojemność na etapie: 12.2 Picofarad --> 1.22E-11 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Offpath pojemności: 9 Picofarad --> 9E-12 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

C_onpath = C_t-C_offpath --> 1.22E-11-9E-12

Ocenianie ... ...

C_onpath = 3.2E-12

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

3.2E-12 Farad -->3.2 Picofarad (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

3.2 Picofarad <-- Ścieżka pojemnościowa

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Charakterystyka projektu CMOS » Pojemność Onpath

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka projektu CMOS Kalkulatory

Wbudowany potencjał

LaTeX Iść Wbudowany potencjał = Napięcie termiczne*ln((Stężenie akceptora*Stężenie dawcy)/(Wewnętrzne stężenie elektronów^2))

Pojemność Onpath

LaTeX Iść Ścieżka pojemnościowa = Całkowita pojemność na etapie-Offpath pojemności

Zmiana zegara częstotliwości

LaTeX Iść Zmiana częstotliwości zegara = Zysk VCO*Napięcie sterujące VCO

Prąd statyczny

LaTeX Iść Prąd statyczny = Moc statyczna/Podstawowe napięcie kolektora

Zobacz więcej >>

Pojemność Onpath Formułę

LaTeX Iść

Ścieżka pojemnościowa = Całkowita pojemność na etapie-Offpath pojemności
C_onpath = C_t-C_offpath

Co to jest wysiłek związany z rozgałęzieniem?

Wysiłek rozgałęziający jest rodzajem wysiłku, który uwzględnia rozgałęzienie między etapami ścieżki. Ten wysiłek rozgałęzienia b jest stosunkiem całkowitej pojemności widzianej przez stopień do pojemności na ścieżce. Jest to również produkt rozgałęzienia wysiłków między etapami.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!