Capacitance Offpath Kalkulator

✖Całkowita pojemność stopnia jest definiowana jako całkowita pojemność stopnia włączania i wyłączania.ⓘ Całkowita pojemność na etapie [C_t]			+10% -10%
✖Pojemność na ścieżce definiuje się jako pojemność wzdłuż ścieżki analizy.ⓘ Ścieżka pojemnościowa [C_onpath]			+10% -10%

✖Pojemność poza ścieżką jest definiowana jako pojemność pojemności poza ścieżką bramki logicznej.ⓘ Capacitance Offpath [C_offpath]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka projektu CMOS Formuły PDF PDF Image

Capacitance Offpath Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Offpath pojemności = Całkowita pojemność na etapie-Ścieżka pojemnościowa
C_offpath = C_t-C_onpath
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Offpath pojemności - (Mierzone w Farad) - Pojemność poza ścieżką jest definiowana jako pojemność pojemności poza ścieżką bramki logicznej.
Całkowita pojemność na etapie - (Mierzone w Farad) - Całkowita pojemność stopnia jest definiowana jako całkowita pojemność stopnia włączania i wyłączania.
Ścieżka pojemnościowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność na ścieżce definiuje się jako pojemność wzdłuż ścieżki analizy.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Całkowita pojemność na etapie: 12.2 Picofarad --> 1.22E-11 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Ścieżka pojemnościowa: 3.2 Picofarad --> 3.2E-12 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

C_offpath = C_t-C_onpath --> 1.22E-11-3.2E-12

Ocenianie ... ...

C_offpath = 9E-12

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

9E-12 Farad -->9 Picofarad (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

9 Picofarad <-- Offpath pojemności

(Obliczenie zakończone za 00.008 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Charakterystyka projektu CMOS » Capacitance Offpath

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka projektu CMOS Kalkulatory

Wbudowany potencjał

LaTeX Iść Wbudowany potencjał = Napięcie termiczne*ln((Stężenie akceptora*Stężenie dawcy)/(Wewnętrzne stężenie elektronów^2))

Pojemność Onpath

LaTeX Iść Ścieżka pojemnościowa = Całkowita pojemność na etapie-Offpath pojemności

Zmiana zegara częstotliwości

LaTeX Iść Zmiana częstotliwości zegara = Zysk VCO*Napięcie sterujące VCO

Prąd statyczny

LaTeX Iść Prąd statyczny = Moc statyczna/Podstawowe napięcie kolektora

Zobacz więcej >>

Capacitance Offpath Formułę

LaTeX Iść

Offpath pojemności = Całkowita pojemność na etapie-Ścieżka pojemnościowa
C_offpath = C_t-C_onpath

Co to jest wysiłek związany z rozgałęzieniem?

Wysiłek rozgałęziający jest rodzajem wysiłku, który uwzględnia rozgałęzienie między etapami ścieżki. Ten wysiłek rozgałęzienia b jest stosunkiem całkowitej pojemności widzianej przez stopień do pojemności na ścieżce. Jest to również produkt rozgałęzienia wysiłków między etapami.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!