Wbudowany potencjał w regionie wyczerpania Kalkulator

✖Domieszkowanie Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów akceptora celowo dodanych do materiału półprzewodnikowego.ⓘ Dopingujące stężenie akceptora [N_A]			+10% -10%
✖Masowy potencjał Fermiego to parametr opisujący potencjał elektrostatyczny w masie (wewnątrz) materiału półprzewodnikowego.ⓘ Masowy potencjał Fermiego [Φ_f]			+10% -10%

✖Napięcie wbudowane to charakterystyczne napięcie występujące w urządzeniu półprzewodnikowym.ⓘ Wbudowany potencjał w regionie wyczerpania [Φ_B0]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Wbudowany potencjał w regionie wyczerpania Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Wbudowane napięcie = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingujące stężenie akceptora*modulus(-2*Masowy potencjał Fermiego)))
Φ_B0 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(-2*Φ_f)))
Ta formuła używa 2 Stałe, 2 Funkcje, 3 Zmienne

Używane stałe

[Permitivity-silicon] - Przenikalność krzemu Wartość przyjęta jako 11.7
[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)
modulus - Moduł liczby to reszta z dzielenia tej liczby przez inną liczbę., modulus

Używane zmienne

Wbudowane napięcie - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wbudowane to charakterystyczne napięcie występujące w urządzeniu półprzewodnikowym.
Dopingujące stężenie akceptora - (Mierzone w Elektrony na metr sześcienny) - Domieszkowanie Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów akceptora celowo dodanych do materiału półprzewodnikowego.
Masowy potencjał Fermiego - (Mierzone w Wolt) - Masowy potencjał Fermiego to parametr opisujący potencjał elektrostatyczny w masie (wewnątrz) materiału półprzewodnikowego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Dopingujące stężenie akceptora: 1.32 Elektrony na centymetr sześcienny --> 1320000 Elektrony na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Masowy potencjał Fermiego: 0.25 Wolt --> 0.25 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

Φ_B0 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(-2*Φ_f))) --> -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(-2*0.25)))

Ocenianie ... ...

Φ_B0 = -1.57302306783086E-06

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

-1.57302306783086E-06 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

-1.57302306783086E-06 ≈ -1.6E-6 Wolt <-- Wbudowane napięcie

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Tranzystor MOS » Wbudowany potencjał w regionie wyczerpania

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Tranzystor MOS Kalkulatory

Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

LaTeX Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej = -(2*sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe)*(sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie końcowe)-sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie początkowe)))

Potencjał Fermiego dla typu P

LaTeX Iść Potencjał Fermiego dla typu P = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Wewnętrzne stężenie nośnika/Dopingujące stężenie akceptora)

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

LaTeX Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

LaTeX Iść Pojemność złącza ściany bocznej = Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej*Głębokość ściany bocznej

Zobacz więcej >>