✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [V_T]			+10% -10%
✖Parametrem procesu produkcyjnego jest proces rozpoczynający się od utlenienia podłoża krzemowego, w którym na jego powierzchni osadza się stosunkowo gruba warstwa tlenku.ⓘ Parametr procesu produkcyjnego [γ]			+10% -10%
✖Parametrów fizycznych można użyć do opisania stanu lub stanu systemu fizycznego lub do scharakteryzowania sposobu, w jaki system reaguje na różne bodźce lub dane wejściowe.ⓘ Parametr fizyczny [φ_f]			+10% -10%
✖Napięcie pomiędzy ciałem a źródłem jest ważne, ponieważ może mieć wpływ na bezpieczną pracę urządzeń elektronicznych.ⓘ Napięcie między ciałem a źródłem [V_SB]			+10% -10%

✖Zmiana napięcia progowego może być spowodowana różnymi czynnikami, w tym zmianami temperatury, ekspozycją na promieniowanie i starzeniem.ⓘ Efekt ciała w PMOS [ΔV_t]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Efekt ciała w PMOS

Formuła

`"ΔV"_{"t"} = "V"_{"T"}+"γ"*(sqrt(2*"φ"_{"f"}+"V"_{"SB"})-sqrt(2*"φ"_{"f"}))`

Przykład

`"1.600478V"="0.7V"+"0.4"*(sqrt(2*"0.6V"+"10V")-sqrt(2*"0.6V"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Efekt ciała w PMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Zmiana napięcia progowego = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny))
ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 5 Zmienne

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Zmiana napięcia progowego - (Mierzone w Wolt) - Zmiana napięcia progowego może być spowodowana różnymi czynnikami, w tym zmianami temperatury, ekspozycją na promieniowanie i starzeniem.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.
Parametr procesu produkcyjnego - Parametrem procesu produkcyjnego jest proces rozpoczynający się od utlenienia podłoża krzemowego, w którym na jego powierzchni osadza się stosunkowo gruba warstwa tlenku.
Parametr fizyczny - (Mierzone w Wolt) - Parametrów fizycznych można użyć do opisania stanu lub stanu systemu fizycznego lub do scharakteryzowania sposobu, w jaki system reaguje na różne bodźce lub dane wejściowe.
Napięcie między ciałem a źródłem - (Mierzone w Wolt) - Napięcie pomiędzy ciałem a źródłem jest ważne, ponieważ może mieć wpływ na bezpieczną pracę urządzeń elektronicznych.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Próg napięcia: 0.7 Wolt --> 0.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Parametr procesu produkcyjnego: 0.4 --> Nie jest wymagana konwersja
Parametr fizyczny: 0.6 Wolt --> 0.6 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie między ciałem a źródłem: 10 Wolt --> 10 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6))

Ocenianie ... ...

ΔV_t = 1.60047799645039

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.60047799645039 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.60047799645039 ≈ 1.600478 Wolt <-- Zmiana napięcia progowego

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Ulepszenie kanału P » Efekt ciała w PMOS

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 15 Ulepszenie kanału P Kalkulatory

Całkowity prąd drenu tranzystora PMOS

Iść Prąd spustowy = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2*(1+Napięcie między drenem a źródłem/modulus(Wczesne napięcie))

Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*((Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))*Napięcie między drenem a źródłem-1/2*(Napięcie między drenem a źródłem)^2)

Efekt ciała w PMOS

Iść Zmiana napięcia progowego = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny))

Prąd drenażowy w regionie triody tranzystora PMOS, biorąc pod uwagę Vsd

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(modulus(Efektywne napięcie)-1/2*Napięcie między drenem a źródłem)*Napięcie między drenem a źródłem

Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2

Prąd spustowy od źródła do drenu

Iść Prąd spustowy = (Szerokość skrzyżowania*Opłata warstwy inwersyjnej*Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale)

Parametr efektu backgate w PMOS

Iść Parametr efektu backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Koncentracja dawców)/Pojemność tlenkowa

Ładunek warstwy inwersji w warunkach zwarcia w PMOS

Iść Opłata warstwy inwersyjnej = -Pojemność tlenkowa*(Napięcie między bramką a źródłem-Próg napięcia-Napięcie między drenem a źródłem)

Prąd odpływowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS podanego Vov

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Efektywne napięcie)^2

Inversion Layer Charge w PMOS

Iść Opłata warstwy inwersyjnej = -Pojemność tlenkowa*(Napięcie między bramką a źródłem-Próg napięcia)

Prąd w kanale inwersji PMOS

Iść Prąd spustowy = (Szerokość skrzyżowania*Opłata warstwy inwersyjnej*Prędkość dryfu inwersji)

Napięcie przesterowania PMOS

Iść Efektywne napięcie = Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia)

Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności

Iść Prędkość dryfu inwersji = Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale

Procesowy parametr transkonduktancji PMOS

Iść Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS = Ruchliwość otworów w kanale*Pojemność tlenkowa

Czas przejścia tranzystora PNP

Iść Czas tranzytowy = Szerokość podstawy^2/(2*Stała dyfuzji dla PNP)

Efekt ciała w PMOS Formułę

Jaka jest przyczyna efektu ciała w PMOS? co to jest stronniczość ciała?

Efekt ciała jest spowodowany tym, że różnica napięcia między źródłem a ciałem wpływa na V

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!