Pojemność bitowa Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Pojemność bitowa = ((Napięcie dodatnie*Pojemność ogniwa)/(2*Wahania napięcia na Bitline))-Pojemność ogniwa
Cbit = ((Vdd*Ccell)/(2*ΔV))-Ccell
Ta formuła używa 4 Zmienne
Używane zmienne
Pojemność bitowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność bitowa to pojemność jednego bitu w cmos vlsi.
Napięcie dodatnie - (Mierzone w Wolt) - Napięcie dodatnie definiuje się jako napięcie obliczone, gdy obwód jest podłączony do źródła zasilania. Zwykle nazywa się to Vdd lub zasilaniem obwodu.
Pojemność ogniwa - (Mierzone w Farad) - Pojemność ogniwa to pojemność pojedynczego ogniwa.
Wahania napięcia na Bitline - (Mierzone w Wolt) - Swing napięcia na Bitline jest definiowany jako pełnoobrotowa lokalna architektura SRAM typu bitline, oparta na technologii FinFET 22 nm do pracy przy niskim napięciu.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Napięcie dodatnie: 2.58 Wolt --> 2.58 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Pojemność ogniwa: 5.98 Picofarad --> 5.98E-12 Farad (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Wahania napięcia na Bitline: 0.42 Wolt --> 0.42 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Cbit = ((Vdd*Ccell)/(2*ΔV))-Ccell --> ((2.58*5.98E-12)/(2*0.42))-5.98E-12
Ocenianie ... ...
Cbit = 1.23871428571429E-11
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1.23871428571429E-11 Farad -->12.3871428571429 Picofarad (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
12.3871428571429 12.38714 Picofarad <-- Pojemność bitowa
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

Podsystem ścieżki danych tablicowych Kalkulatory

Opóźnienie „XOR”.
​ LaTeX ​ Iść Opóźnienie XOR = Czas tętnienia-(Opóźnienie propagacji+(Bramy na ścieżce krytycznej-1)*Opóźnienie bramki AND-OR)
Opóźnienie ścieżki krytycznej Carry-Ripple Adder
​ LaTeX ​ Iść Czas tętnienia = Opóźnienie propagacji+(Bramy na ścieżce krytycznej-1)*Opóźnienie bramki AND-OR+Opóźnienie XOR
Pojemność uziemienia
​ LaTeX ​ Iść Pojemność uziemienia = ((Napięcie agresora*Sąsiadująca pojemność)/Napięcie ofiary)-Sąsiadująca pojemność
Dodatek N-Bit Carry-Skip
​ LaTeX ​ Iść N-bitowy dodatek pomijający przeniesienie = Wejście N ORAZ bramka*Wejście K ORAZ bramka

Pojemność bitowa Formułę

​LaTeX ​Iść
Pojemność bitowa = ((Napięcie dodatnie*Pojemność ogniwa)/(2*Wahania napięcia na Bitline))-Pojemność ogniwa
Cbit = ((Vdd*Ccell)/(2*ΔV))-Ccell

Jak różne pojemności różnią się w dynamicznej pamięci RAM lub DRAM?

Aby osiągnąć dobrą gęstość, ogniwo kondensatora DRAM musi być możliwie najmniejsze fizycznie. Jednakże linia bitowa łączy się z wieloma komórkami DRAM i ma stosunkowo dużą pojemność bitu C. Dlatego pojemność komórki jest zwykle znacznie mniejsza niż pojemność linii bitowej. Aby zapewnić rozsądne wahania napięcia, ważna jest duża pojemność ogniwa. Konieczne jest także zachowanie zawartości ogniwa przez akceptowalnie długi czas i zminimalizowanie błędów miękkich.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!