Obszar dyfuzji źródła Kalkulator

✖Długość źródła definiuje się jako całkowitą długość obserwowaną na złączu źródłowym MOSFET-u.ⓘ Długość źródła [D_s]			+10% -10%
✖Szerokość przejścia definiuje się jako wzrost szerokości przy wzroście napięcia dren-źródło, w wyniku czego obszar triody przechodzi do obszaru nasycenia.ⓘ Szerokość przejścia [W]			+10% -10%

✖Obszar dyfuzji źródła definiuje się jako ruch netto czegokolwiek z obszaru o wyższym stężeniu do obszaru o niższym stężeniu w bramie źródłowej.ⓘ Obszar dyfuzji źródła [A_s]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka obwodu CMOS Formuły PDF PDF Image

Obszar dyfuzji źródła Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Obszar dyfuzji źródła = Długość źródła*Szerokość przejścia
A_s = D_s*W
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Obszar dyfuzji źródła - (Mierzone w Metr Kwadratowy) - Obszar dyfuzji źródła definiuje się jako ruch netto czegokolwiek z obszaru o wyższym stężeniu do obszaru o niższym stężeniu w bramie źródłowej.
Długość źródła - (Mierzone w Metr) - Długość źródła definiuje się jako całkowitą długość obserwowaną na złączu źródłowym MOSFET-u.
Szerokość przejścia - (Mierzone w Metr) - Szerokość przejścia definiuje się jako wzrost szerokości przy wzroście napięcia dren-źródło, w wyniku czego obszar triody przechodzi do obszaru nasycenia.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Długość źródła: 61 Milimetr --> 0.061 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Szerokość przejścia: 89.82 Milimetr --> 0.08982 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

A_s = D_s*W --> 0.061*0.08982

Ocenianie ... ...

A_s = 0.00547902

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.00547902 Metr Kwadratowy -->5479.02 Milimetr Kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

5479.02 Milimetr Kwadratowy <-- Obszar dyfuzji źródła

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Charakterystyka obwodu CMOS » Obszar dyfuzji źródła

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka obwodu CMOS Kalkulatory

Średnia wolna ścieżka CMOS

LaTeX Iść Średnia darmowa ścieżka = Krytyczne napięcie w CMOS/Krytyczne pole elektryczne

Krytyczne napięcie CMOS

LaTeX Iść Krytyczne napięcie w CMOS = Krytyczne pole elektryczne*Średnia darmowa ścieżka

Szerokość dyfuzji źródła

LaTeX Iść Szerokość przejścia = Obszar dyfuzji źródła/Długość źródła

Obszar dyfuzji źródła

LaTeX Iść Obszar dyfuzji źródła = Długość źródła*Szerokość przejścia

Zobacz więcej >>

Obszar dyfuzji źródła Formułę

LaTeX Iść

Obszar dyfuzji źródła = Długość źródła*Szerokość przejścia
A_s = D_s*W

Co możesz powiedzieć o procesie dopingu w CMOS?

Domieszkowanie w CMOS to proces wprowadzania zanieczyszczeń do materiału półprzewodnikowego w celu modyfikacji jego właściwości elektrycznych. Proces ten może zwiększyć wydajność urządzeń CMOS poprzez zmniejszenie oporu, zwiększenie mobilności i poprawę izolacji pomiędzy różnymi komponentami. Doping można przeprowadzić przy użyciu różnych technik, w tym implantacji i dyfuzji.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!