Współczynnik wzmocnienia dla modelu MOSFET małego sygnału Kalkulator

✖Średnia droga swobodna elektronu, która reprezentuje średnią odległość, jaką elektron może pokonać bez rozpraszania przez zanieczyszczenia, uszkodzenia lub inne przeszkody w urządzeniu półprzewodnikowym.ⓘ Średnia droga swobodna elektronu [λ]			+10% -10%
✖Process Transconductance Parameter (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.ⓘ Parametr transkonduktancji procesu [k'_n]			+10% -10%
✖Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.ⓘ Prąd spustowy [i_d]			+10% -10%

✖Współczynnik wzmocnienia jest miarą wzrostu mocy sygnału elektrycznego przechodzącego przez urządzenie. Definiuje się go jako stosunek amplitudy wyjściowej lub mocy do amplitudy wejściowej.ⓘ Współczynnik wzmocnienia dla modelu MOSFET małego sygnału [A_f]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Współczynnik wzmocnienia dla modelu MOSFET małego sygnału Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Współczynnik wzmocnienia = 1/Średnia droga swobodna elektronu*sqrt((2*Parametr transkonduktancji procesu)/Prąd spustowy)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 4 Zmienne

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Współczynnik wzmocnienia - Współczynnik wzmocnienia jest miarą wzrostu mocy sygnału elektrycznego przechodzącego przez urządzenie. Definiuje się go jako stosunek amplitudy wyjściowej lub mocy do amplitudy wejściowej.
Średnia droga swobodna elektronu - Średnia droga swobodna elektronu, która reprezentuje średnią odległość, jaką elektron może pokonać bez rozpraszania przez zanieczyszczenia, uszkodzenia lub inne przeszkody w urządzeniu półprzewodnikowym.
Parametr transkonduktancji procesu - (Mierzone w Amper na wolt kwadratowy) - Process Transconductance Parameter (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Średnia droga swobodna elektronu: 2.78 --> Nie jest wymagana konwersja
Parametr transkonduktancji procesu: 2.1 Amper na wolt kwadratowy --> 2.1 Amper na wolt kwadratowy Nie jest wymagana konwersja
Prąd spustowy: 0.08 Miliamper --> 8E-05 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d) --> 1/2.78*sqrt((2*2.1)/8E-05)

Ocenianie ... ...

A_f = 82.4204261682705

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

82.4204261682705 --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

82.4204261682705 ≈ 82.42043 <-- Współczynnik wzmocnienia

(Obliczenie zakończone za 00.007 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Analiza małych sygnałów » Współczynnik wzmocnienia dla modelu MOSFET małego sygnału

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Analiza małych sygnałów Kalkulatory

Napięcie wyjściowe kanału P małego sygnału

LaTeX Iść Napięcie wyjściowe = Transkonduktancja*Źródło-napięcie bramki*((Rezystancja wyjściowa*Odporność na drenaż)/(Odporność na drenaż+Rezystancja wyjściowa))

Wzmocnienie napięcia małosygnałowego w odniesieniu do rezystancji drenu

LaTeX Iść Wzmocnienie napięcia = (Transkonduktancja*((Rezystancja wyjściowa*Odporność na drenaż)/(Rezystancja wyjściowa+Odporność na drenaż)))

Transkonduktancja przy danych parametrach małego sygnału

LaTeX Iść Transkonduktancja = 2*Parametr transkonduktancji*(Składowa DC napięcia bramki-źródła-Całkowite napięcie)

Napięcie wyjściowe małego sygnału

LaTeX Iść Napięcie wyjściowe = Transkonduktancja*Źródło-napięcie bramki*Odporność na obciążenie

Zobacz więcej >>

Współczynnik wzmocnienia dla modelu MOSFET małego sygnału Formułę

LaTeX Iść

Współczynnik wzmocnienia = 1/Średnia droga swobodna elektronu*sqrt((2*Parametr transkonduktancji procesu)/Prąd spustowy)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)

Jakie jest zastosowanie transkonduktancji w MOSFET?

Transkonduktancja jest wyrazem działania tranzystora bipolarnego lub tranzystora polowego (FET). Ogólnie rzecz biorąc, im większy współczynnik transkonduktancji dla urządzenia, tym większe wzmocnienie (wzmocnienie), które jest w stanie zapewnić, gdy wszystkie inne czynniki są utrzymywane na stałym poziomie.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!