NWD trzy liczby

Stężenie domieszki akceptorowej Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Układy scalone (IC)Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Produkcja układów scalonych MOS Produkcja bipolarnych układów scalonych Wyzwalacz Schmitta

✖Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.ⓘ Długość tranzystora [L_t]			+10% -10%
✖Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.ⓘ Szerokość tranzystora [W_t]			+10% -10%
✖Mobilność dziur reprezentuje zdolność tych nośników ładunku do poruszania się w odpowiedzi na pole elektryczne.ⓘ Mobilność dziury [μ_p]			+10% -10%
✖Pojemność warstwy zubożonej na jednostkę powierzchni to pojemność warstwy zubożonej na jednostkę powierzchni.ⓘ Pojemność warstwy zubożonej [C_dep]			+10% -10%

✖Stężenie domieszki akceptorowej to ruchliwość nośników ładunku (w tym przypadku dziur) i wymiary urządzenia półprzewodnikowego.ⓘ Stężenie domieszki akceptorowej [N_a]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Produkcja układów scalonych MOS Formuły PDF PDF Image

Stężenie domieszki akceptorowej Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Stężenie domieszki akceptorowej = 1/(2*pi*Długość tranzystora*Szerokość tranzystora*[Charge-e]*Mobilność dziury*Pojemność warstwy zubożonej)
N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep)
Ta formuła używa 2 Stałe, 5 Zmienne

Używane stałe

[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
pi - Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288

Używane zmienne

Stężenie domieszki akceptorowej - (Mierzone w Elektrony na metr sześcienny) - Stężenie domieszki akceptorowej to ruchliwość nośników ładunku (w tym przypadku dziur) i wymiary urządzenia półprzewodnikowego.
Długość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Szerokość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Mobilność dziury - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność dziur reprezentuje zdolność tych nośników ładunku do poruszania się w odpowiedzi na pole elektryczne.
Pojemność warstwy zubożonej - (Mierzone w Farad) - Pojemność warstwy zubożonej na jednostkę powierzchni to pojemność warstwy zubożonej na jednostkę powierzchni.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Długość tranzystora: 3.2 Mikrometr --> 3.2E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Szerokość tranzystora: 5.5 Mikrometr --> 5.5E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Mobilność dziury: 400 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 400 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pojemność warstwy zubożonej: 1.4 Mikrofarad --> 1.4E-06 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep) --> 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06)

Ocenianie ... ...

N_a = 1.00788050957133E+32

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.00788050957133E+32 Elektrony na metr sześcienny --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.00788050957133E+32 ≈ 1E+32 Elektrony na metr sześcienny <-- Stężenie domieszki akceptorowej

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja układów scalonych MOS » Stężenie domieszki akceptorowej

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Efekt ciała w MOSFET-ie

LaTeX Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

LaTeX Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)

Rezystancja kanału

LaTeX Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

LaTeX Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Zobacz więcej >>

Stężenie domieszki akceptorowej Formułę

LaTeX Iść

Stężenie domieszki akceptorowej = 1/(2*pi*Długość tranzystora*Szerokość tranzystora*[Charge-e]*Mobilność dziury*Pojemność warstwy zubożonej)
N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!