Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid Rekenmachine

✖Zero Bias Sidewall Junction Potential is het ingebouwde potentieel in de zijwandovergang van bepaalde transistorstructuren.ⓘ Zero Bias zijwandverbindingspotentieel [C_j0sw]			+10% -10%
✖Diepte van de zijwand verwijst naar de afstand vanaf het oppervlak van een structuur of materiaal tot een gespecificeerd punt binnen de zijwand.ⓘ Diepte van zijwand [x_j]			+10% -10%

✖Zijwandverbindingscapaciteit verwijst naar de capaciteit die is gekoppeld aan de zijwand van een halfgeleiderovergang.ⓘ Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid [C_jsw]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

Formule

C jsw = C j0sw \cdot x j

Voorbeeld

2.9E-15 F = 4.6E-10 F \cdot 6.32 μm

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand
C_jsw = C_j0sw*x_j
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Zijwandverbindingscapaciteit - (Gemeten in Farad) - Zijwandverbindingscapaciteit verwijst naar de capaciteit die is gekoppeld aan de zijwand van een halfgeleiderovergang.
Zero Bias zijwandverbindingspotentieel - (Gemeten in Farad) - Zero Bias Sidewall Junction Potential is het ingebouwde potentieel in de zijwandovergang van bepaalde transistorstructuren.
Diepte van zijwand - (Gemeten in Meter) - Diepte van de zijwand verwijst naar de afstand vanaf het oppervlak van een structuur of materiaal tot een gespecificeerd punt binnen de zijwand.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Zero Bias zijwandverbindingspotentieel: 4.6E-10 Farad --> 4.6E-10 Farad Geen conversie vereist
Diepte van zijwand: 6.32 Micrometer --> 6.32E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_jsw = C_j0sw*x_j --> 4.6E-10*6.32E-06

Evalueren ... ...

C_jsw = 2.9072E-15

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.9072E-15 Farad --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.9072E-15 ≈ 2.9E-15 Farad <-- Zijwandverbindingscapaciteit

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid Formule

Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand
C_jsw = C_j0sw*x_j

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!