Zero Bias Junction-capaciteit Rekenmachine

✖Permitiviteit van silicium is een materiaaleigenschap die beschrijft hoe een materiaal reageert op een elektrisch veld.ⓘ Permitiviteit van silicium [ε_si]			+10% -10%
✖Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.ⓘ Dopingconcentratie van acceptor [N_A]			+10% -10%
✖Dopingconcentratie van donor verwijst naar de concentratie van donoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.ⓘ Dopingconcentratie van donor [N_D]			+10% -10%
✖Ingebouwde junctiepotentiaal verwijst naar het potentiaalverschil of de spanning die bestaat over een halfgeleiderovergang wanneer deze niet is aangesloten op een externe spanningsbron.ⓘ Ingebouwd verbindingspotentieel [Φ_o]			+10% -10%

✖Zero Bias Junction Capacitance verwijst naar het ingebouwde potentieel van een halfgeleiderovergang wanneer er geen externe spanning (bias) op wordt toegepast.ⓘ Zero Bias Junction-capaciteit [C_j0]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET-versterkers Formules Pdf PDF Image

Zero Bias Junction-capaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Zero Bias Junction-capaciteit = sqrt((Permitiviteit van silicium*[Charge-e])/2*((Dopingconcentratie van acceptor*Dopingconcentratie van donor)/(Dopingconcentratie van acceptor+Dopingconcentratie van donor))*1/Ingebouwd verbindingspotentieel)
C_j0 = sqrt((ε_si*[Charge-e])/2*((N_A*N_D)/(N_A+N_D))*1/Φ_o)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 1 Functies, 5 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Zero Bias Junction-capaciteit - (Gemeten in Farad) - Zero Bias Junction Capacitance verwijst naar het ingebouwde potentieel van een halfgeleiderovergang wanneer er geen externe spanning (bias) op wordt toegepast.
Permitiviteit van silicium - (Gemeten in Farad per meter) - Permitiviteit van silicium is een materiaaleigenschap die beschrijft hoe een materiaal reageert op een elektrisch veld.
Dopingconcentratie van acceptor - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
Dopingconcentratie van donor - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dopingconcentratie van donor verwijst naar de concentratie van donoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
Ingebouwd verbindingspotentieel - (Gemeten in Volt) - Ingebouwde junctiepotentiaal verwijst naar het potentiaalverschil of de spanning die bestaat over een halfgeleiderovergang wanneer deze niet is aangesloten op een externe spanningsbron.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Permitiviteit van silicium: 11.7 Farad per meter --> 11.7 Farad per meter Geen conversie vereist
Dopingconcentratie van acceptor: 1.32 Elektronen per kubieke centimeter --> 1320000 Elektronen per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Dopingconcentratie van donor: 3.01 Elektronen per kubieke centimeter --> 3010000 Elektronen per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Ingebouwd verbindingspotentieel: 2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_j0 = sqrt((ε_si*[Charge-e])/2*((N_A*N_D)/(N_A+N_D))*1/Φ_o) --> sqrt((11.7*[Charge-e])/2*((1320000*3010000)/(1320000+3010000))*1/2)

Evalueren ... ...

C_j0 = 6.55759204749238E-07

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

6.55759204749238E-07 Farad --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

6.55759204749238E-07 ≈ 6.6E-7 Farad <-- Zero Bias Junction-capaciteit

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Versterkers » MOSFET-versterkers » Zero Bias Junction-capaciteit

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOSFET-versterkers Rekenmachines

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit

LaTeX Gaan Zero Bias zijwandverbindingspotentieel = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Dopingdichtheid van de zijwand*Dopingconcentratie van donor)/(Dopingdichtheid van de zijwand+Dopingconcentratie van donor))*1/Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)

Zero Bias Junction-capaciteit

LaTeX Gaan Zero Bias Junction-capaciteit = sqrt((Permitiviteit van silicium*[Charge-e])/2*((Dopingconcentratie van acceptor*Dopingconcentratie van donor)/(Dopingconcentratie van acceptor+Dopingconcentratie van donor))*1/Ingebouwd verbindingspotentieel)

Zero Bias Junction-capaciteit Formule

LaTeX Gaan

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!