Spanningsdaling in IGBT in AAN-status Rekenmachine

✖Voorwaartse stroom (IGBT) is de maximale stroom die door het apparaat kan stromen wanneer het is ingeschakeld.ⓘ Voorwaartse stroom (IGBT) [i_f(igbt)]			+10% -10%
✖N-kanaalweerstand (IGBT) is de weerstand van het halfgeleidermateriaal in het apparaat wanneer de IGBT is ingeschakeld.ⓘ N-kanaalweerstand (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%
✖Driftweerstand (IGBT) is het N-driftgebied van het halfgeleidermateriaal in het apparaat. Het N-driftgebied is een dik gedoteerd silicium dat de collector scheidt van het P-basisgebied.ⓘ Driftweerstand (IGBT) [R_d(igbt)]			+10% -10%
✖Spanning Pn Junction 1 (IGBT) wordt veroorzaakt door de potentiële barrière die op de kruising aanwezig is. Deze potentiële barrière wordt gecreëerd door de diffusie van ladingsdragers over de kruising.ⓘ Spanning Pn Junction 1 (IGBT) [V_j1(igbt)]			+10% -10%

✖Voltage Drop ON Stage (IGBT) is het spanningsverschil tussen de collector- en emitterterminals wanneer de IGBT is ingeschakeld. Het is halfgeleidermateriaal in het apparaat.ⓘ Spanningsdaling in IGBT in AAN-status [V_ON(igbt)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geavanceerde transistorapparaten Formules Pdf PDF Image

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Spanningsval OP podium (IGBT) = Voorwaartse stroom (IGBT)*N-kanaalweerstand (IGBT)+Voorwaartse stroom (IGBT)*Driftweerstand (IGBT)+Spanning Pn Junction 1 (IGBT)
V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Spanningsval OP podium (IGBT) - (Gemeten in Volt) - Voltage Drop ON Stage (IGBT) is het spanningsverschil tussen de collector- en emitterterminals wanneer de IGBT is ingeschakeld. Het is halfgeleidermateriaal in het apparaat.
Voorwaartse stroom (IGBT) - (Gemeten in Ampère) - Voorwaartse stroom (IGBT) is de maximale stroom die door het apparaat kan stromen wanneer het is ingeschakeld.
N-kanaalweerstand (IGBT) - (Gemeten in Ohm) - N-kanaalweerstand (IGBT) is de weerstand van het halfgeleidermateriaal in het apparaat wanneer de IGBT is ingeschakeld.
Driftweerstand (IGBT) - (Gemeten in Ohm) - Driftweerstand (IGBT) is het N-driftgebied van het halfgeleidermateriaal in het apparaat. Het N-driftgebied is een dik gedoteerd silicium dat de collector scheidt van het P-basisgebied.
Spanning Pn Junction 1 (IGBT) - (Gemeten in Volt) - Spanning Pn Junction 1 (IGBT) wordt veroorzaakt door de potentiële barrière die op de kruising aanwezig is. Deze potentiële barrière wordt gecreëerd door de diffusie van ladingsdragers over de kruising.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Voorwaartse stroom (IGBT): 1.69 milliampère --> 0.00169 Ampère (Bekijk de conversie hier)
N-kanaalweerstand (IGBT): 10.59 Kilohm --> 10590 Ohm (Bekijk de conversie hier)
Driftweerstand (IGBT): 0.98 Kilohm --> 980 Ohm (Bekijk de conversie hier)
Spanning Pn Junction 1 (IGBT): 0.7 Volt --> 0.7 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt) --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Evalueren ... ...

V_ON(igbt) = 20.2533

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

20.2533 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

20.2533 Volt <-- Spanningsval OP podium (IGBT)

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektrisch » Vermogenselektronica » Geavanceerde transistorapparaten » IGBT » Spanningsdaling in IGBT in AAN-status

Credits

Gemaakt door Mohammed Fazil V

Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru

Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< IGBT Rekenmachines

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status

LaTeX Gaan Spanningsval OP podium (IGBT) = Voorwaartse stroom (IGBT)*N-kanaalweerstand (IGBT)+Voorwaartse stroom (IGBT)*Driftweerstand (IGBT)+Spanning Pn Junction 1 (IGBT)

IGBT-uitschakeltijd

LaTeX Gaan Uitschakeltijd (IGBT) = Vertragingstijd (IGBT)+Initiële valtijd (IGBT)+Laatste herfsttijd (IGBT)

Ingangscapaciteit van IGBT

LaTeX Gaan Ingangscapaciteit (IGBT) = Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT)+Poort naar collectorcapaciteit (IGBT)

Emitterstroom van IGBT

LaTeX Gaan Emitterstroom (IGBT) = Gatstroom (IGBT)+Elektronische stroom (IGBT)

Bekijk meer >>