Doping in CMOS-technologie wordt gebruikt om onzuiverheden in het halfgeleidermateriaal te introduceren en zo de elektrische eigenschappen ervan te veranderen. Door doteermiddelen toe te voegen kan het aantal vrije ladingsdragers (elektronen of gaten) worden vergroot, waardoor een grotere controle over het elektrische gedrag van het apparaat mogelijk is. Dit is essentieel voor het creëren van hoogwaardige CMOS-circuits die zowel n-type als p-type transistors gebruiken.