Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker Rekenmachine

✖Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctie-transistor.ⓘ Collectorstroom [i_c]			+10% -10%
✖De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.ⓘ Drempelspanning [V_t]			+10% -10%

✖MOSFET Primaire Transconductantie is de verandering in de drainstroom gedeeld door de kleine verandering in de gate/source-spanning bij een constante drain/source-spanning.ⓘ Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker [g_mp]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Karakteristieken van de transistorversterker Formules Pdf PDF Image

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning
g_mp = i_c/V_t
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

MOSFET primaire transconductantie - (Gemeten in Siemens) - MOSFET Primaire Transconductantie is de verandering in de drainstroom gedeeld door de kleine verandering in de gate/source-spanning bij een constante drain/source-spanning.
Collectorstroom - (Gemeten in Ampère) - Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctie-transistor.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Collectorstroom: 39.52 milliampère --> 0.03952 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Drempelspanning: 2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

g_mp = i_c/V_t --> 0.03952/2

Evalueren ... ...

g_mp = 0.01976

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.01976 Siemens -->19.76 Millisiemens (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

19.76 Millisiemens <-- MOSFET primaire transconductantie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Versterkers » Transistorversterkers » Karakteristieken van de transistorversterker » Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Anshika Arya

Nationaal Instituut voor Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 2500+ rekenmachines!

< Karakteristieken van de transistorversterker Rekenmachines

Stroom die door geïnduceerd kanaal in transistor vloeit, gegeven oxidespanning

LaTeX Gaan Uitgangsstroom = (Mobiliteit van elektronen*Oxide capaciteit*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Spanning over oxide-Drempelspanning))*Verzadigingsspanning tussen afvoer en bron

Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging

LaTeX Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Effectieve spanning)^2

Totale momentane afvoerspanning

LaTeX Gaan Totale momentane afvoerspanning = Fundamentele componentspanning-Afvoerweerstand*Afvoerstroom

Ingangsspanning in transistor

LaTeX Gaan Fundamentele componentspanning = Afvoerweerstand*Afvoerstroom-Totale momentane afvoerspanning

Bekijk meer >>

< CV-acties van gemeenschappelijke podiumversterkers Rekenmachines

Ingangsweerstand van gemeenschappelijke emitterversterker

LaTeX Gaan Ingangsweerstand = (1/Basis weerstand+1/Basisweerstand 2+1/Kleine signaalingangsweerstand)^-1

Ingangsimpedantie van Common-Base-versterker

LaTeX Gaan Ingangsimpedantie = (1/Zenderweerstand+1/Kleine signaalingangsweerstand)^(-1)

Fundamentele spanning in gemeenschappelijke emitterversterker

LaTeX Gaan Fundamentele componentspanning = Ingangsweerstand*Basisstroom

Emitterstroom van Common-Base-versterker

LaTeX Gaan Zenderstroom = Ingangsspanning/Zenderweerstand

Bekijk meer >>

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker Formule

LaTeX Gaan

MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning
g_mp = i_c/V_t

Wat is het gebruik van transconductantie in MOSFET?

Transconductantie is een uitdrukking van de prestaties van een bipolaire transistor of veldeffecttransistor (FET). In het algemeen geldt dat hoe groter het transconductantiecijfer voor een apparaat is, hoe groter de versterking (versterking) die het kan leveren, wanneer alle andere factoren constant worden gehouden.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!